資料介紹
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為了減少集成電路密碼芯片工作時的電磁信息泄漏,設(shè)汁具有防護(hù)能力的加密芯片。在研究CMOS集成電路電磁輻射原理的基礎(chǔ)上,分析了電磁輻射產(chǎn)生數(shù)據(jù)相關(guān)性的機(jī)理。以電偶極子為模型,簡化了電磁計算的方法,對基本的CMOS電路工作過程進(jìn)行分析。采用TSMC0.18工藝設(shè)計CMOS反相器,并對該反向器進(jìn)行電磁輻射仿真。建立評估模型并對金屬層電磁輻射的信息泄漏進(jìn)行評估。結(jié)果表明,電路工作時NMOS金屬層、PMOS金屬層和輸出線的金屬層產(chǎn)生的電磁輻射均會導(dǎo)致信息泄漏,長度相等時,輸出線金屬層的電磁信息泄漏更強(qiáng)。

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