近年來，CMOS工藝水平不斷進(jìn)步，便攜式電子的應(yīng)用領(lǐng)域也不斷深入，使得低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的性能要求更加嚴(yán)格。LDO未來發(fā)展趨勢是：低成本、低噪聲、低功耗、高效率、高集成度、適用范圍更廣。國內(nèi)IC行業(yè)起步較晚，LDO的發(fā)展落后于先進(jìn)國際水平，主流電源芯片市場份額基本都被外國公司占據(jù)。因此，掌握基本電源技術(shù)知識，學(xué)習(xí)國際先進(jìn)水平，設(shè)計(jì)實(shí)用的新型結(jié)構(gòu)，對今后發(fā)展具有戰(zhàn)略性意義。

　　本文針對LDO的發(fā)展要求，主要研究LDO的核心——誤差放大器，且著重對誤差放大器頻率補(bǔ)償進(jìn)行分析和設(shè)計(jì)。結(jié)合國內(nèi)外現(xiàn)有三級放大器補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，本論文采用單密勒電容前饋頻率補(bǔ)償（SMFFC），并用Cadence完成電路構(gòu)造和參數(shù)仿真。此放大器的設(shè)計(jì)采用CSMC0.5um工藝，在正負(fù)電源電壓分別為正負(fù)一伏，負(fù)載電容120pF，負(fù)載電阻25K的情況下對電路進(jìn)行仿真，仿真達(dá)到指標(biāo)為：放大器的單位增益帶寬為8.6MHz直流增益95.4dB，相位裕度為60.7，補(bǔ)償電容僅為，2.76pF，功耗僅為0.384mw。

　　分析與設(shè)計(jì)的具體內(nèi)容有：第一章主要對LDO的工作原理和誤差放大器對LDO的影響進(jìn)行簡單的闡述，以引出下文對誤差放大器的分析。

　　第二章一方面對誤差放大器基本電路單元進(jìn)行分析設(shè)計(jì)；另一方面著重分析放大器的頻率補(bǔ)償，運(yùn)用一種SFMMC結(jié)構(gòu)的補(bǔ)償方式，分析其小信號傳輸函數(shù)，確定零極點(diǎn)位置，實(shí)現(xiàn)了左半平面零點(diǎn)在頻率補(bǔ)償中的作用：第三章則根據(jù)本次設(shè)計(jì)提出的各項(xiàng)指標(biāo)對電流進(jìn)行分配從而計(jì)算出各管子的寬長比，并用Candence仿真軟件對電路圖進(jìn)行仿真，分析仿真結(jié)果。從仿真結(jié)果可以看出，此誤差放大器達(dá)到了預(yù)期的補(bǔ)償目的，完成了設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。

　　文章結(jié)尾對本設(shè)計(jì)進(jìn)行了小結(jié)，指出了設(shè)計(jì)中所存在的一些不足之處，并結(jié)合當(dāng)前設(shè)計(jì)和未來發(fā)展提出了進(jìn)一步的想法。