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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>模擬數(shù)字>Mosfet的損耗的原因有哪些和參數(shù)計(jì)算公式

      Mosfet的損耗的原因有哪些和參數(shù)計(jì)算公式

      2020-01-08 | docx | 0.41 MB | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      　　Mosfet的損耗主要有導(dǎo)通損耗，關(guān)斷損耗，開(kāi)關(guān)損耗，容性損耗，驅(qū)動(dòng)損耗

      　　導(dǎo)通過(guò)程分析：

      　　

      　　1.柵極電壓從零開(kāi)始上升，經(jīng)過(guò)電阻Rdrive給輸入電容充電，在達(dá)到門(mén)限電壓以前漏極電流為0，漏極電壓固定。Cgd上端電位被鉗位于Vds，下端電位隨柵極電壓改變而改變，這個(gè)期間流過(guò)Cgd 的電流非常小可以忽略，電流大部分流過(guò)Cgs 。

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