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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>怎樣使用有效的LDO為亞微米CMOS負(fù)載供電

      怎樣使用有效的LDO為亞微米CMOS負(fù)載供電

      2011-02-22 | ??它 | 1.05 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      在當(dāng)今幾乎每一臺(tái)電子設(shè)備中，至少都有一塊數(shù)字集成電路。諸如便攜式手機(jī)、超聲機(jī)械、服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)之類的各種應(yīng)用都采用數(shù)字集成電路來處理數(shù)據(jù)。在數(shù)字集成電路—如微處理器、DSP、FPGA和ASIC—領(lǐng)域的一個(gè)強(qiáng)勁趨勢(shì)就是遵循摩爾定律發(fā)展：在集成電路上的晶體管的數(shù)量大約每兩年翻一番。在過去的幾十年當(dāng)中，人們一直在努力縮小幾何尺寸(工藝節(jié)點(diǎn))，它已經(jīng)從上世紀(jì)80年代末的1000nm，被依次縮小為600nm、250nm、130nm、90nm和65nm，現(xiàn)在的45nm工藝節(jié)點(diǎn)容許半導(dǎo)體制造商把更多的晶體管集成到相同面積的芯片之中。更多的晶體管意味著在相同的空間中，你獲得了更多的功能或改良的性能，但是，一切都要進(jìn)行折衷。

      CMOS 負(fù)載供電
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