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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>開(kāi)關(guān)電源MOSFET的交越損耗分析

      開(kāi)關(guān)電源MOSFET的交越損耗分析

      2011-03-31 | doc | 87 KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　隨著環(huán)保節(jié)能的觀念越來(lái)越被各國(guó)所重視，電子產(chǎn)品對(duì)開(kāi)關(guān)電源需求不斷增長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)電源的功率損耗測(cè)量分析也越來(lái)越重要。由于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部消耗的功率決定了電源熱效應(yīng)的總體效率，所以了解開(kāi)關(guān)電源的功率損耗是一項(xiàng)極為重要的工作。本文詳細(xì)分析開(kāi)關(guān)電源的核心器件之一---MOSFET開(kāi)關(guān)管的交越損耗，從而使電子工程師更加深入理解MOSFET產(chǎn)生損耗的過(guò)程。

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