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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>高電壓真空斷路器溫升影響因素仿真

      高電壓真空斷路器溫升影響因素仿真

      2011-08-10 | pdf | 237 KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

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      以一種高電壓真空斷路器模型為研究對象，對影響真空斷路器溫升的散熱表面對流換熱系數(shù)、動靜觸頭接觸點(diǎn)半徑、接觸點(diǎn)位置以及導(dǎo)電桿的半徑4種因素進(jìn)行了仿真研究 研究結(jié)果表明．在考慮散熱表面輻射和不考慮輻射兩種情況下．動、靜觸頭接觸處的溫度差別在5％以內(nèi)，而考慮散熱表面的輻射后．接線端子的溫度下降了14％。真空斷路器溫升隨著動靜觸頭接觸點(diǎn)半徑的增大迅速降低而與接觸點(diǎn)位置無關(guān)．但當(dāng)接觸點(diǎn)半徑增大至2 mm以后．溫升降低趨勢已不明顯 真空斷路器溫升隨著導(dǎo)電桿半徑的增大而降低．其中觸頭接觸處溫度降低的趨勢最為顯著．但當(dāng)導(dǎo)電桿半徑增大至25 mm 以后．溫升降低趨勢已不明顯
      高電壓真空斷路器溫升影響因素仿真

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