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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

      透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

      2013-01-10 | pdf | 882 KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

      MOSFET emi
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