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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>HBM-MM-CDM靜電放電模擬器測(cè)試使用方法

HBM-MM-CDM靜電放電模擬器測(cè)試使用方法

2017-03-23 | pdf | 1136KB | 次下載 | 1積分

資料介紹

  二極管、三極管和集成電路電子元器件靜電放電敏感度要用 EST883 靜電放電模擬器測(cè)試,它是專門為測(cè)量元器件的靜電放電模擬器,它輸出電壓范圍寬(0~±20kV HBM),精度高(1%),分辨率高(1V, CDM, MM),其輸出電壓和波形符合目前大部分國(guó)際和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn):國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883E/F 方法 3015、MIL-STD-750 方法 1020、MIL-PRP-19500、 MIL-PRP-38535,國(guó)家軍標(biāo) GJB548A-97 方法 3015 微電子器件試驗(yàn)方法和程序 靜電放電敏感度分類標(biāo)準(zhǔn)要求(等同于美國(guó)軍標(biāo) MIL-STD-883E, 國(guó)家軍標(biāo) GJB1649-93 電子產(chǎn)器防靜電放電控制大綱, 國(guó)家軍標(biāo) GJB128A 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 靜電放電敏感度分類,國(guó)際 ESD 協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn) ANSI/ESD STM 5.1, ANSI/ESD STM 5.2 ,ANSI/ESD STM5.3.1 等標(biāo)準(zhǔn)中的 HBM、MM 和 CDM 測(cè)試

  

  2.2 放電重復(fù)時(shí)間(REPEAT TIME)設(shè)置放電時(shí)間間隔可設(shè)置,最小時(shí)間可達(dá) 0.05 秒(s),此一秒鐘內(nèi)放電達(dá) 20 次!一般測(cè)量元器件時(shí),IEC、ESDA 和 JEDEC 等最小放電重復(fù)時(shí)間為不小于 1 秒,一般設(shè)置為 3 秒。

CDM HBM
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