HBM是 Human-Body Model的簡(jiǎn)稱，即我們所熟知的ESD靜電放電里的人體放電模型，表征芯片的抗靜電能力，電子工程師都知道這個(gè)參數(shù)越高代表芯片的抗靜電能力越強(qiáng)。但是不同芯片供應(yīng)商通常都是根據(jù)自己的理解、或者自身的經(jīng)驗(yàn)、或者合作方的資源、或者芯片適用的應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)選取不同的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)不同，意味著測(cè)試方法或者測(cè)試條件就會(huì)有差異，就無(wú)法直接單純從規(guī)格書標(biāo)注的HBM數(shù)字來(lái)橫向?qū)Ρ刃酒目轨o電能力。

目前非車規(guī)芯片常用的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有ANSI/ESDA/JEDEC JS-001和MIL-STD-883，車規(guī)芯片會(huì)采用AEC Q100-002標(biāo)準(zhǔn)。ANSI(American National Standards Institute)，即美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)；ESDA(Electrostatic Discharge Association)，即美國(guó)靜電放電協(xié)會(huì)；JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)，即固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)；MIL-STD(US Military Standard)，即美國(guó)軍標(biāo)。

網(wǎng)絡(luò)上可以搜到這些標(biāo)準(zhǔn)對(duì)HBM的具體測(cè)試方案，通過(guò)對(duì)比可以知道，三種標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試選取的RC值都是R=1.5kΩ、C=100pF，測(cè)試的峰值電流和電流波形也沒(méi)有明顯差異，但是測(cè)試打的脈沖數(shù)和打脈沖的時(shí)間間隔完全不同：

在這三種測(cè)試條件下相同的芯片會(huì)表現(xiàn)出什么樣的測(cè)試數(shù)據(jù)差異沒(méi)辦法做理論分析，只能采用實(shí)際測(cè)試來(lái)對(duì)比，RS722PXK和RS722PXK-Q1采用的是相同的晶粒封裝，分別采用ANSI/ESDA/JEDEC JS-001和AEC Q100-002標(biāo)準(zhǔn)的HBM數(shù)據(jù)如下：

注：按照J(rèn)EDEC JEP155，500 V的HBM即能滿足正常的生產(chǎn)操作。

可以看出HBM數(shù)據(jù)差異巨大，因?yàn)榉庋b材料對(duì)ESD參數(shù)的影響因素很小，相同晶粒下芯片的抗靜電能力應(yīng)該是相當(dāng)?shù)摹IL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)比其他兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)更嚴(yán)苛，測(cè)試數(shù)據(jù)還會(huì)更小。當(dāng)然更嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，取同一批次的樣品、采用不同的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)來(lái)測(cè)試，數(shù)據(jù)會(huì)更有說(shuō)服力，網(wǎng)絡(luò)上也可以搜到電子愛好者提供的實(shí)測(cè)對(duì)比數(shù)據(jù)，總結(jié)來(lái)看，MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)最嚴(yán)苛、測(cè)試的HBM數(shù)據(jù)更?。籄NSI/ESDA/JEDEC JS-001標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試出的HBM數(shù)據(jù)會(huì)比較大。

這里需要強(qiáng)調(diào)的是，芯片的ESD測(cè)試遵循的規(guī)范與整機(jī)產(chǎn)品打ESD測(cè)試遵循的規(guī)范完全不同，靜電的能量等級(jí)更是相差甚遠(yuǎn)，并不能直接采用整機(jī)的ESD測(cè)試設(shè)備直接對(duì)芯片管腳打ESD測(cè)試。在系統(tǒng)級(jí)電路設(shè)計(jì)上，尤其是對(duì)外的接口處，需要特別注意防靜電和抗浪涌的保護(hù)處理，這些集成芯片都比較嬌貴，不能指望用集成芯片去扮演分立保護(hù)器件的功能。