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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>移動式PMU的功率MOSFET故障原因及設(shè)計考慮

      移動式PMU的功率MOSFET故障原因及設(shè)計考慮

      2017-06-20 | rar | 1.24 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      　　汽車系統(tǒng)以及在汽車上充電或者工作的移動設(shè)備內(nèi)部的功率MOSFET，可能工作在惡劣的環(huán)境下，并承受來自電源設(shè)備和發(fā)射器的大強(qiáng)度瞬態(tài)。另外，空氣中以及電路板裸露導(dǎo)電表面的腐蝕性污染物，會引起低阻抗通路。時間一長，這些低阻抗通路和瞬態(tài)事件（例如：過載、電磁耦合和工作環(huán)境產(chǎn)生的易發(fā)尖峰等），會導(dǎo)致產(chǎn)生破壞性的電氣過應(yīng)力（EOS）狀態(tài)。這種狀態(tài)可能會使強(qiáng)電流在非常短的時間內(nèi)流過MOSFET功率開關(guān)。

      　　本文為您介紹將外部反饋組件用于移動式車載應(yīng)用的高頻開關(guān)和穩(wěn)壓器的特殊設(shè)計考慮和故障分析，目的是幫助廣大設(shè)計人員熟悉可能導(dǎo)致片上功率開關(guān)損毀的各種機(jī)制和環(huán)境。我們討論了避免和消除EOS狀態(tài)影響的一些方法和技術(shù)，幫助改進(jìn)終端用戶產(chǎn)品和PCB設(shè)計。本文還介紹了一些進(jìn)行實驗室測試的小技巧，并給出了避免高密度/超緊湊型移動設(shè)計出現(xiàn)問題的優(yōu)秀工程方法。

      移動式PMU的功率MOSFET故障原因及設(shè)計考慮

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