簡(jiǎn)介

　　開(kāi)關(guān)電源行業(yè)的趨勢(shì)朝著更高的轉(zhuǎn)換頻率以獲得更高的功率密度急劇提高為。當(dāng)這些頻率推向超越一兆赫，MOSFET的過(guò)渡時(shí)期可以成為總開(kāi)關(guān)周期的一個(gè)重要部分。與開(kāi)關(guān)電壓和電流重疊有關(guān)的損耗不僅降低了整體供電效率，而且需要從熱和封裝的角度考慮。一個(gè)簡(jiǎn)短的，每個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換可以進(jìn)一步降低，如果驅(qū)動(dòng)從高速，高電流圖騰柱驅(qū)動(dòng)器-一個(gè)專為這個(gè)應(yīng)用程序設(shè)計(jì)的。本文將重點(diǎn)介紹三個(gè)這樣的裝置；該uc1708和uc1710高電流MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，和uc1711高速驅(qū)動(dòng)器。其他的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片及典型應(yīng)用電路的特色在Unitrode應(yīng)用筆記u-118。

　　有效柵電容

　　MOSFET的輸入電容（CISS）是經(jīng)常被誤用的功率MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)IC為代表的負(fù)荷。在現(xiàn)實(shí)中，一個(gè)MOSFET的有效輸入電容（Ceff）是非常高的，必須由制造商公布的總柵極電荷（Qg）信息。即使在指定的開(kāi)關(guān)過(guò)渡過(guò)程中，門電荷參數(shù)的最大值也不能準(zhǔn)確反映駕駛員的瞬時(shí)負(fù)荷。幸運(yùn)的是，制造商提供一個(gè)FET的柵源電壓（VGS）曲線與總柵極電荷在其數(shù)據(jù)表。這將被劃分為四個(gè)交換轉(zhuǎn)換的時(shí)間間隔。每一個(gè)都將被分析以確定最佳的柵極電容和驅(qū)動(dòng)性能要求。

　　柵極驅(qū)動(dòng)不足通常是相應(yīng)調(diào)整柵極電荷數(shù)的結(jié)果。無(wú)論是開(kāi)啟和關(guān)閉的轉(zhuǎn)換顯示各自的漏電流和漏源電壓。