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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>單晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)與工藝仿真及其性能分析

      單晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)與工藝仿真及其性能分析

      2017-09-21 | rar | 0.3 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      　　單晶 Si 太陽能電池一般有 p 型襯底上擴散 n型雜質(zhì)和 n 型襯底上擴散 p 型雜質(zhì)兩種。在 Silvaco工藝仿真環(huán)境Athena 下， 形成 pn 結(jié)太陽能電池的基本工藝流程。相關(guān)語句關(guān)鍵詞如圖 1 所示

      　　單晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)與工藝仿真及其性能分析

      　　根據(jù)圖 1 所示的工藝流程， 本文選擇 p 型單晶Si 襯底， 襯底晶向為《 100》 ， 襯底電阻率定義為1 ：：cm， n 型摻雜濃度為1 ： 1017/ cm3。設(shè)置器件厚度為150 ：m， 長度為10 ：m， 寬度選擇默認(rèn)值1 ：m，仿真得到結(jié)深約為0:35 ：m的單晶 Si pn 結(jié)太陽能電池， 其結(jié)構(gòu)示意圖如圖 2 所示
      單晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)與工藝仿真及其性能分析

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