近年來隨著便攜式電子產(chǎn)品的普及，以及計算機、通訊和汽車等行業(yè)的迅速發(fā)展，電源管理芯片的需求量不斷增大，同時對其性能的要求也不斷提高。LDO具有低成本、電路結(jié)構(gòu)簡單、占用芯片面積小等優(yōu)點，這些優(yōu)點使其成為電源管理芯片的研究熱點之一。

　　本文重點研究了一種快速瞬態(tài)響應LDO的設計與實現(xiàn)。通過研究對比幾種已有的快速瞬態(tài)響應方案，最終設計了一種響應速度快，穩(wěn)定性好的LDO電路。本設計采用了緩沖級結(jié)構(gòu)的電路，將運算放大器與功率器件隔離，通過增加緩沖級sink和source電流的能力，使功率器件在負載跳變時柵極也能夠及時響應，從而可以避免較大的電壓上沖與下沖。由于本設計是無片外電容LDO，主極點設置在誤差放大器輸出端，較大的環(huán)路帶寬在一定程度上提高了瞬態(tài)響應性能。同時，為了解決加入緩沖級電路帶來的穩(wěn)定性問題，本文采用密勒補償和前饋補償對其進行頻率補償，從而增加系統(tǒng)的相位裕度，使其穩(wěn)定。

　　本設計采用CSMC0.5um工藝，利用Cadence工具完成了整體電路的設計、仿真和版圖設計，并進行了流片。測試結(jié)果表明芯片的工作電壓范圍為2.9V-5.5V，輸出電壓為2.5V，線性調(diào)整率和負載調(diào)整率分別為0.13%/V和1.15%/A。LDO由10mA跳變到300mA時，瞬態(tài)響應時間為12.4us，下沖電壓為48mV；由300mA跳變到10mA時，瞬態(tài)響應時間為11.6us，上沖電壓為36mV。測試結(jié)果表明該芯片具有較好的穩(wěn)壓效果，基本達到了設計指標。