資料介紹
功率MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源時(shí)應(yīng)注意以下幾個(gè)問題。
1、柵極電路的阻抗非常高,易翼靜電損壞。
2、直流輸入阻抗高,但輸入容量大,高頻時(shí)輸入阻抗低,因此,需要降低驅(qū)動(dòng)電路阻抗。
3、并聯(lián)工作時(shí)容易產(chǎn)生高頻振蕩。
4、導(dǎo)通時(shí)電流沖擊大,易產(chǎn)生過電流。
5、很多情況下,不能原封不動(dòng)地用于雙極型晶體管的自激振蕩電路。
6、寄生二極管的反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng),很多情況下與場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)速度不平衡。
7、開關(guān)速度快而產(chǎn)生噪聲,容易使驅(qū)動(dòng)電路誤動(dòng)作,特別是開關(guān)方式為橋接電路、柵極電路的電源為浮置時(shí),易發(fā)生這種故障。
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| 功率MOSFET_應(yīng)用于開關(guān)電源要注意了.pdf | 164K |
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