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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>分析LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管五大技術(shù)點分析

      分析LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管五大技術(shù)點分析

      2022-01-06 | pdf | 未知 | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      ?　　1、芯片發(fā)熱　　本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v...
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