資料介紹
LDMOS器件設(shè)計(jì)中,常采用RESURF技術(shù)來提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技術(shù)結(jié)構(gòu)的LD-MOS器件,圍繞當(dāng)獲得最優(yōu)的器件結(jié)構(gòu)時(shí),其外延層單位面積雜質(zhì)密度Ntot不是定值這一現(xiàn)象展開研究,給出了一種關(guān)于外延層單位面積雜質(zhì)密度Ntot的近似解析表達(dá)式、,經(jīng)過大量的模擬仿真及數(shù)據(jù)分析,發(fā)現(xiàn)在最優(yōu)器件結(jié)構(gòu)中均勻摻雜的外延層單位面積雜質(zhì)密度Ntot與襯底摻雜濃度存在有規(guī)律的函數(shù)關(guān)系。最終,通過綜合分析影響器件的關(guān)鍵因素,得到了最優(yōu)器件的外延層單位面積雜質(zhì)密度Ntot與襯底摻雜濃度的關(guān)系函數(shù)。

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