資料介紹
LDMOS器件設計中,常采用RESURF技術來提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技術結構的LD-MOS器件,圍繞當獲得最優(yōu)的器件結構時,其外延層單位面積雜質密度Ntot不是定值這一現(xiàn)象展開研究,給出了一種關于外延層單位面積雜質密度Ntot的近似解析表達式、,經(jīng)過大量的模擬仿真及數(shù)據(jù)分析,發(fā)現(xiàn)在最優(yōu)器件結構中均勻摻雜的外延層單位面積雜質密度Ntot與襯底摻雜濃度存在有規(guī)律的函數(shù)關系。最終,通過綜合分析影響器件的關鍵因素,得到了最優(yōu)器件的外延層單位面積雜質密度Ntot與襯底摻雜濃度的關系函數(shù)。

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