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發(fā)視頻IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS靜態(tài)RAM詳細(xì)資料概述
2018-07-24 |
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資料介紹
ISSI IS62WV51216ALU/IS62WV51216BLL是高速、8M位靜態(tài)RAM，由512K字組成，由16位組成。它是利用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制作的。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合，產(chǎn)生高性能和低功耗的設(shè)備。
當(dāng)CS1為高（取消選擇）或當(dāng)CS2為低（取消選擇）或當(dāng)CS1為低時，CS2為高電平且LB和UB均為高電平時，該器件承擔(dān)待機(jī)模式，在該待機(jī)模式下，隨著CMOS輸入電平的降低，功耗可以降低。
通過使用芯片使能和輸出使能輸入提供容易的存儲器擴(kuò)展。主動低寫使能（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高位字節(jié)（UB）和Lower Byte（LB）訪問。
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)48引腳迷你BGA（7.2mm×87.mm）和44引腳TSOP（II型）中。
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