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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>1m×16高速異步CMOS靜態(tài)RAM與3.3V電源IS61WV102416BLL

      1m×16高速異步CMOS靜態(tài)RAM與3.3V電源IS61WV102416BLL

      2017-09-20 | rar | 0.30 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      　　TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLL are high-speed， 16M-bit static RAMs organized as 1024K words by 16 bits. It is fabricated using ISSI‘s high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques， yields high-performance and low power consumption devices. When CE is HIGH （deselected）， the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and Output Enable inputs， CE and OE. The active LOW Write Enable （WE） controls both writing and reading of the memory. A data byte allows Upper Byte （UB） and Lower Byte （LB） access. The device is packaged in the JEDEC standard 48-pin TSOP Type I and 48-pin Mini BGA （9mm x 11mm）.
      1m×16高速異步CMOS靜態(tài)RAM與3.3V電源IS61WV102416BLL

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