資料介紹
TLC27L2和TLC27L7雙運(yùn)算放大器把寬范圍的輸入失調(diào)電壓等級(jí)和低失調(diào)電壓漂移、高
輸入阻抗、極低的功耗以及高增益組合在一起。這些器件使用了德州儀器公司的硅柵(silicon-gate)LinCMOSTM工藝,它提供的失調(diào)電壓穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了常規(guī)金屬柵(metal-gate)工藝所能提供的穩(wěn)定性。極高的輸入阻抗、低偏置電流以及低功耗使這些費(fèi)效比甚佳的器件能理想地用于高增益、低頻率、低功耗的應(yīng)用中。有四種失調(diào)電壓等級(jí)可供使用(后綴C和后綴I類型),其范圍從低成本的TLC27L2(10mV)至高精度的TLC27L7(500μV)。這些優(yōu)點(diǎn)和良好的共模抑制比以及電源電壓抑制比結(jié)合在一起,使得這些器件成為最新現(xiàn)代化設(shè)計(jì)和對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)升級(jí)時(shí)的良好選擇。通常,LinCMOSTM運(yùn)算放大器有許多與雙極性工藝相關(guān)的特性可供使用,它沒有雙極性工藝功率上的缺陷。一般應(yīng)用例如變換器接口、模擬計(jì)算、放大器塊、有源濾波器以及信號(hào)緩沖能方便地用TLC27L2和TLC27L7設(shè)計(jì)。 器件也呈現(xiàn)低電壓?jiǎn)坞娫垂ぷ骱统凸牡奶攸c(diǎn),這使得它們能理想地適用于遠(yuǎn)程和不可訪問(wèn)的電池供電的應(yīng)用中。共模輸入電壓范圍包括負(fù)電源電平。有很寬范圍的封裝選項(xiàng)可供使用,包括可用于高密度系統(tǒng)的小外形和芯片支座(chip-carrier)類型。器件輸入端和輸出端設(shè)計(jì)成能承受-100mA的浪涌電流而不遭受閉鎖(latch-up)。TLC27L2和TLC27L7有內(nèi)部ESD保護(hù),當(dāng)遵照MIL-STD-883C標(biāo)準(zhǔn)、方法3015.2進(jìn)行測(cè)試時(shí),在高達(dá)2000V的電壓下,它可防止功能失效;但是,由于暴露在ESD下可能導(dǎo)致器件參數(shù)性能降低,所以在處理這些器件時(shí)要多加小心。
輸入阻抗、極低的功耗以及高增益組合在一起。這些器件使用了德州儀器公司的硅柵(silicon-gate)LinCMOSTM工藝,它提供的失調(diào)電壓穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了常規(guī)金屬柵(metal-gate)工藝所能提供的穩(wěn)定性。極高的輸入阻抗、低偏置電流以及低功耗使這些費(fèi)效比甚佳的器件能理想地用于高增益、低頻率、低功耗的應(yīng)用中。有四種失調(diào)電壓等級(jí)可供使用(后綴C和后綴I類型),其范圍從低成本的TLC27L2(10mV)至高精度的TLC27L7(500μV)。這些優(yōu)點(diǎn)和良好的共模抑制比以及電源電壓抑制比結(jié)合在一起,使得這些器件成為最新現(xiàn)代化設(shè)計(jì)和對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)升級(jí)時(shí)的良好選擇。通常,LinCMOSTM運(yùn)算放大器有許多與雙極性工藝相關(guān)的特性可供使用,它沒有雙極性工藝功率上的缺陷。一般應(yīng)用例如變換器接口、模擬計(jì)算、放大器塊、有源濾波器以及信號(hào)緩沖能方便地用TLC27L2和TLC27L7設(shè)計(jì)。 器件也呈現(xiàn)低電壓?jiǎn)坞娫垂ぷ骱统凸牡奶攸c(diǎn),這使得它們能理想地適用于遠(yuǎn)程和不可訪問(wèn)的電池供電的應(yīng)用中。共模輸入電壓范圍包括負(fù)電源電平。有很寬范圍的封裝選項(xiàng)可供使用,包括可用于高密度系統(tǒng)的小外形和芯片支座(chip-carrier)類型。器件輸入端和輸出端設(shè)計(jì)成能承受-100mA的浪涌電流而不遭受閉鎖(latch-up)。TLC27L2和TLC27L7有內(nèi)部ESD保護(hù),當(dāng)遵照MIL-STD-883C標(biāo)準(zhǔn)、方法3015.2進(jìn)行測(cè)試時(shí),在高達(dá)2000V的電壓下,它可防止功能失效;但是,由于暴露在ESD下可能導(dǎo)致器件參數(shù)性能降低,所以在處理這些器件時(shí)要多加小心。
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