9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72
2019-11-25 17:21:556386 Western Digital和Kioxia宣布成功開發(fā)了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產(chǎn)，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 近日，SK海力士在官網(wǎng)宣布，適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動(dòng)端DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）產(chǎn)品已于7月初開始量產(chǎn)。 自從10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品開始，半導(dǎo)體
2021-07-12 10:57:065591 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì)，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否也拿出同樣具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 SK 海力士最先進(jìn) 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:351594 據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 目前東芝已經(jīng)提出了創(chuàng)紀(jì)錄的96層堆疊3D閃存——第四代BiCS閃存。它的內(nèi)部是如何工作的？一顆閃存芯片又是,如何演變成我們能看到的閃存顆粒？
2017-09-20 09:39:1426286 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級(jí)SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲(chǔ)容量，產(chǎn)品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423984 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534 第四代CSR8670開發(fā)板開發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航年會(huì)（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。
這是一款擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
第四代移動(dòng)通信技術(shù)是什么？有什么主要特點(diǎn)？第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-26 07:07:28
報(bào)道顯示，SK海力士將在世界上首次開發(fā)和量產(chǎn)128層1Tb級(jí)的TLC(Triple-Level cell，三層單元格)4D Nand閃存。據(jù)悉，在占據(jù)NAND市場(chǎng)85%以上的TLC產(chǎn)品中，SK海力士
2020-03-19 14:04:57
）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲(chǔ)器高速（NVMe）固態(tài)硬盤?！ ∵@些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)
2020-11-23 06:10:45
據(jù)我所知，第五代capsense相比第四代將電容（包括自電容+互電容技術(shù)）和電感觸摸技術(shù)集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同時(shí)功耗僅是上一代的十分之一。但是這張圖在感應(yīng)模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
組合包括50多種解決方案，用于企業(yè)、數(shù)據(jù)通信、移動(dòng)通信和顯示等應(yīng)用中的物理層一致性測(cè)試、特性分析和調(diào)試。同時(shí)適用于第三代標(biāo)準(zhǔn)和第四代標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，提供自動(dòng)測(cè)試設(shè)置和執(zhí)行、內(nèi)置報(bào)告選項(xiàng)、深入分析等多種
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測(cè)試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了，這里就不重復(fù)敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測(cè)試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進(jìn)化，如PCIe，我們的測(cè)試測(cè)量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對(duì)本田第四代混合動(dòng)力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設(shè)計(jì)思想和工作原理，對(duì)于國(guó)內(nèi)輕度混聯(lián)混合動(dòng)力汽車的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
階段，可見未來5年工地對(duì)第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的需求會(huì)越來越大。 那么一款專業(yè)的工人專用空氣凈化施工產(chǎn)品應(yīng)當(dāng)是怎樣的標(biāo)準(zhǔn)呢？ 第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹： 攪拌機(jī)開機(jī)后，罐內(nèi)的砂漿通過手動(dòng)蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個(gè)方面全面介紹了第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)，并簡(jiǎn)單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動(dòng)通信中的應(yīng)用。
2009-11-28 11:46:59
42 9294第四代智VCD維修解碼板使用說明
第四代智能VCD維修解碼板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED數(shù)碼屏
2009-04-28 15:39:251718 淺析第四代移動(dòng)通信
引言 移動(dòng)通信技術(shù)飛速發(fā)展，已經(jīng)歷了3個(gè)主要發(fā)展階段。每一代的發(fā)展都是技術(shù)的突破和觀念的創(chuàng)新。第一代起源于20世紀(jì)80年
2010-01-23 10:19:451394 第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光
北京時(shí)間2月9日早間消息，美國(guó)數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細(xì)節(jié)及圖片，第四代iPhone要比當(dāng)前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937 71M6541D/71M6541F和71M6542F是Teridian的第四代單相表SoC，內(nèi)置5MHz 8051兼容MPU內(nèi)核、低功耗RTC、閃存及LCD驅(qū)動(dòng)
2011-05-06 11:12:581844 S2C在中國(guó)推出ALLEGRO公司的廣播級(jí)、第四代H.264 High Profile編碼器。相對(duì)于前面三代，第四代的特點(diǎn)是支持MVC(3D)、支持低延遲、支持低比特率、支持藍(lán)光和B幀
2011-07-21 09:07:091903 第四代移動(dòng)通信技術(shù)研究，很好的網(wǎng)絡(luò)資料，快來下載學(xué)習(xí)吧。
2016-04-19 11:30:480 SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111317 
蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%
2017-04-11 08:30:054377 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:111359 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價(jià)。
2017-07-05 08:47:54795 SK
海力士預(yù)計(jì)
第四季度
D-RAM和
NAND閃存需求不斷增長(zhǎng)。公司計(jì)劃
第四季度批量生產(chǎn)10納米級(jí)
D-RAM和
72層NAND閃存，明年業(yè)績(jī)?nèi)詫⑾蚝谩?/div>
2017-10-27 09:15:15754 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043820 Q4推出的則是第三代3D NAND閃存，只不過前面三代產(chǎn)品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動(dòng)市場(chǎng)，今年推出的第四代3D NAND閃存則會(huì)針對(duì)UFS 2.1、SATA及PCI-E產(chǎn)品
2018-10-08 15:52:39780 %的份額之差排在三星電子、東芝、西部數(shù)據(jù)之后，排名第四。在去年SK海力士的銷售額中，NAND閃存所占比重保持在22%左右，而在今年上半年，這一比例下降到了18%。
2018-11-09 15:49:515400 11月15日， 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個(gè)月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 7月11日，業(yè)內(nèi)傳出消息稱，SK海力士計(jì)劃收購Intel位于中國(guó)大連的Fab 68存儲(chǔ)工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對(duì)此傳聞，英特爾向芯智訊進(jìn)行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:014741 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片，它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存，但美光警告稱，使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機(jī)遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲(chǔ)巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043 SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤，不過并沒有公布新品SSD的名稱，有限的信息為支持NVMe協(xié)議，采用72層堆棧的3D TLC閃存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可達(dá)8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 在最近舉辦的CES 2020展會(huì)上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點(diǎn)采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:553583 從去年底到現(xiàn)在，NAND閃存價(jià)格止跌回升，連帶著SSD硬盤價(jià)格也上漲了不少，現(xiàn)在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高價(jià)位。什么時(shí)候1TB SSD硬盤才能降到300多元呢？這還得再等等，需要第四代QLC閃存了。
2020-04-01 08:30:512422 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111，是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194475 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 。 EUV光刻機(jī)參與的將是SK海力士的第四代（1a nm）內(nèi)存，在內(nèi)存業(yè)內(nèi)，目前的代際劃分是1x、1y、1z和1a。 EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本，并提高性能。 當(dāng)然，EUV光刻機(jī)實(shí)在是香餑餑。唯一的制造商ASML（
2020-11-26 18:23:292303 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:272200 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:233708 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:343836 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 AN65--第四代LCD背光技術(shù)
2021-04-19 11:43:336 wifi技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)第四代是第四代移動(dòng)通信技術(shù)的意思，第五代就是第五代移動(dòng)通信技術(shù)，那么這兩代之間有什么區(qū)別呢？
2022-01-01 16:43:0041538 近日，SK海力士宣布將在中國(guó)大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美國(guó)圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?；蛟S更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 服務(wù)器客戶 韓國(guó)首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發(fā)的第四代10納米級(jí)（1a）DDR5服務(wù)器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務(wù)器
2023-01-12 21:32:261496 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 在4月26日召開的第十三屆中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航年會(huì)（CSNC2022）上，第四代北斗芯片正式發(fā)布。
2023-04-28 09:46:521337 Crucial 英睿達(dá) T700 第五代 SSD 采用 232 層 TLC NAND，順序讀取速度高達(dá) 12,400MB/s，速度幾乎是先前第四代高性能 SSD2 的兩倍，專為 Intel 第 13 代和 AMD Ryzen 7000 系列 CPU 以及 PCIe 5.0 桌面電腦和主板而設(shè)計(jì)。
2023-06-01 15:01:44949 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471993 采用AMD 3D V-Cache技術(shù)的第四代AMD EPYC處理器進(jìn)一步擴(kuò)展了AMD EPYC 9004系列處理器，為計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)(CFD)、有限元分析(FEA)、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)和結(jié)構(gòu)分析等技術(shù)計(jì)算工作負(fù)載提供更強(qiáng)大的x86 CPU。
2023-08-14 14:38:111128 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程，隨后將芯片運(yùn)回韓國(guó)總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理，最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡管第四代產(chǎn)品僅需一層使用EUV工藝，但公司仍認(rèn)為增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:582000 2024年4月18日，國(guó)民技術(shù)第四代可信計(jì)算芯片NS350v32/v33系列產(chǎn)品正式發(fā)布并開始量產(chǎn)供貨。NS350v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0（TCM2.0）安全芯片
2024-04-19 08:24:101553 
ATX是一款平臺(tái)型產(chǎn)品，沿用AT平臺(tái)并搭載第四代芯片架構(gòu)，升級(jí)了光機(jī)設(shè)計(jì)和激光收發(fā)模塊。
2024-04-20 10:49:181628 韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報(bào)道，該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)計(jì)于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅(jiān)實(shí)步伐，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111743 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN65-第四代LCD背光技術(shù).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:12:250 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208 Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232328 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論