資料介紹
上接《淺談12吋晶圓集成電路芯片制程(工藝與工序)前端FEOL第一部分》
4 )淺源漏(汲)極前端延伸區(qū)(LDD)。
4.1 柵極寬度不斷縮小,溝道長(zhǎng)度不斷減小,增加了漏源間電荷穿通的幾率。溝道中電場(chǎng)強(qiáng)度增大,電子(空穴)在強(qiáng)電場(chǎng)中獲得高能量注入并陷落到柵氧化層介質(zhì)中,引發(fā)出器件可靠性問(wèn)題。采用LDD結(jié)構(gòu)性能得到改進(jìn)。見(jiàn)圖14.及附注。 LDD結(jié)構(gòu)也減少了短溝道效應(yīng)。
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