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14nm節(jié)點FinFET工藝流程。（后柵工藝BEOL+FEOL）
流程概述：晶圓材料-隔離—淀積多晶硅—芯軸—鰭硬掩膜（“側(cè)墻”）—刻蝕形成鰭—雙阱形成—制作臨時輔助柵—補償隔離—LDD注入—側(cè)墻主隔離—漏源極形成（應(yīng)變硅技術(shù)）—金屬硅化物—器件與金屬間介質(zhì)層ILD—置換高k金屬柵—鎢栓—第一層金屬間介質(zhì)（超低K介質(zhì)）IMD-1—第一層銅布線—第二層金屬間介質(zhì)（超低K介質(zhì)）IMD-2—第二層銅布線。..。..多層布線最上層鋁布線制作壓焊窗口—最上層介質(zhì)鈍化層（光刻壓焊/測試焊盤）—測試.
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