資料介紹
縮小MOS器件的尺寸是推進VSI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。初期的MOS器件都是大尺寸的(10m左右),因而習(xí)慣上有→套適用它們的物理模型和計算方法,所得的結(jié)果與大尺寸器件的實測特性相符合。這種模型和計算方法叫做逐次溝避近似(Grad-ual Channel Approximation),筒稱為GCA。但是,它對VLSI中的小尺寸器件不適用,必須進行修正。本章將闡明MOS小尺寸器件的各種物理效應(yīng)(包括一級和二級效應(yīng)),并對GCA作相應(yīng)的各項修正。小尺寸Mos器件是VLS中最基本的元,必須了解其基本的物理和電學(xué)特性,建立起符合實際且較簡便的計算模型公式,這是正確進行計算機電路模擬的基礎(chǔ),也是進行VLSI設(shè)計計算的基本工具。實際上,計算機電路模擬的精度很大程度上決定于器件模型的精度。因此,建立一個較特確的、而且便于計算的器件模型對vLSI設(shè)計是至關(guān)重要的這也是本書首先介紹器件模型的原因。同時,由于目前國際上普逢使用美國加州大學(xué)伯克利(Berkeey)分校開發(fā)的 SPICE電路模擬程序,所以我們也將結(jié)合它給出的小尺寸MOS器件模型進行一定的介紹及分析討論,并指出它的不足,以利于那些用該程序的ⅥISI設(shè)計者對它有較正確的認識。
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