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IRF630設(shè)計(jì)參數(shù)總結(jié)??
(1) 采用n/n+外延片, 晶向(100)、襯底電阻率 0.004Ω cm (摻砷)、
硅片厚450 μm、外延層電阻率為 3.4－3.8Ω cm、
外延層厚19－21μm?
(磷注入工藝)。
（注：工藝過(guò)程中，襯底向外延層反擴(kuò)約1.6 μm）
(2) 縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)：
I. P＋擴(kuò)散結(jié)深3.3 μm , 濃度為8×1018－3.5×1019。
II.P－擴(kuò)散結(jié)深 2.4μm, 濃度為2.830×1017。
III. N+擴(kuò)散結(jié)深0.4 μm. 濃度﹥5×1020。
IV.柵氧化層厚5000A。
V. Al膜厚大于2μm。
（3）橫向結(jié)構(gòu)參數(shù)：
I. 方型單胞，正方形排列。單胞多晶硅尺寸為9μm，擴(kuò)散窗口區(qū)尺寸為8μm，
II.單胞面積為17μm×17μm =289μm2。
III. 芯片面積為2434μm×2417μm=5.88mm2。
IV.柵壓焊點(diǎn)面積為247μm×187μm=0.0462mm2。
V. 器件有效總單胞數(shù)為17118個(gè)。
VI.器件有效面積為17118×289μm2=4.95mm2。
VII. 劃片道橫向?yàn)?6μm，縱向?yàn)?3μm。
VIII. 總面積2.5×2.48＝6.2mm2。
（4）設(shè)計(jì)規(guī)則：套刻精度：1.5微米；最小尺寸：2微米
(1) 采用n/n+外延片, 晶向(100)、襯底電阻率 0.004Ω cm (摻砷)、
硅片厚450 μm、外延層電阻率為 3.4－3.8Ω cm、
外延層厚19－21μm?
(磷注入工藝)。
（注：工藝過(guò)程中，襯底向外延層反擴(kuò)約1.6 μm）
(2) 縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)：
I. P＋擴(kuò)散結(jié)深3.3 μm , 濃度為8×1018－3.5×1019。
II.P－擴(kuò)散結(jié)深 2.4μm, 濃度為2.830×1017。
III. N+擴(kuò)散結(jié)深0.4 μm. 濃度﹥5×1020。
IV.柵氧化層厚5000A。
V. Al膜厚大于2μm。
（3）橫向結(jié)構(gòu)參數(shù)：
I. 方型單胞，正方形排列。單胞多晶硅尺寸為9μm，擴(kuò)散窗口區(qū)尺寸為8μm，
II.單胞面積為17μm×17μm =289μm2。
III. 芯片面積為2434μm×2417μm=5.88mm2。
IV.柵壓焊點(diǎn)面積為247μm×187μm=0.0462mm2。
V. 器件有效總單胞數(shù)為17118個(gè)。
VI.器件有效面積為17118×289μm2=4.95mm2。
VII. 劃片道橫向?yàn)?6μm，縱向?yàn)?3μm。
VIII. 總面積2.5×2.48＝6.2mm2。
（4）設(shè)計(jì)規(guī)則：套刻精度：1.5微米；最小尺寸：2微米
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