DDR3的設(shè)計(jì)有著嚴(yán)格等長(zhǎng)要求，歸結(jié)起來(lái)分為兩類(lèi)（以64位的DDR3為例）： 數(shù)據(jù) （DQ、DQS、DQM）：組內(nèi)等長(zhǎng)，誤差控制在20MIL以?xún)?nèi)，組間不需要考慮等長(zhǎng)；地址、控制、時(shí)鐘信號(hào)：地址、控制信號(hào)以時(shí)鐘作參考，誤差控制在100MIL以?xún)?nèi)，Address、Control與CLK歸為一組，因?yàn)锳ddress、Control是以CLK的下降沿觸發(fā)的由DDR控制器輸出，DDR顆粒由CLK的上升沿鎖存Address、Control總線上的狀態(tài)，所以需要嚴(yán)格控制CLK與Address/Command、Control之間的時(shí)序關(guān)系，確保DDR顆粒能夠獲得足夠的建立和保持時(shí)間。 關(guān)注等長(zhǎng)的目的就是為了等時(shí)，繞等長(zhǎng)時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)： 1、確認(rèn)芯片是否有Pin-delay,繞線時(shí)要確保Pin-delay開(kāi)關(guān)已經(jīng)打開(kāi)； 2、同組信號(hào)走在同層，保證不會(huì)因換層影響實(shí)際的等時(shí)；同樣的換層結(jié)構(gòu)，換層前后的等長(zhǎng)要匹配，即時(shí)等長(zhǎng)；不同層的傳播延時(shí)需要考慮，如走在表層與走在內(nèi)層，其傳播速度是不一樣的，所以在走線的時(shí)候需要考慮，表層走線盡量短，讓其差別盡量?。ㄟ@也是為什么Intel的很多GUIDE上面要求，表層的走線長(zhǎng)度不超過(guò)250MIL等要求的原因）； 3、Z軸的延時(shí)：在嚴(yán)格要求的情況下，需要把Z軸的延時(shí)開(kāi)關(guān)也打開(kāi)，做等長(zhǎng)時(shí)需要考慮（ALLEGRO中層疊需要設(shè)置好，Z軸延時(shí)才是對(duì)的）。 4、蛇形繞線時(shí)單線按3W，差分按5W繞線（W為線寬）。且保證各BUS信號(hào)組內(nèi)間距按3H， 不同組組間間距為5H （H為到主參考平面間距），DQS和CLK 距離其他信號(hào)間距做到5H以上。單線和差分繞線方式如下圖1所示： 圖1：?jiǎn)尉€和差分繞線方式示例 而另一個(gè)核心重點(diǎn)便是電源處理。DDR3中有三類(lèi)電源，它們是VDD（1.5V）、VTT（0.75V）、VREF（0.75V，包括VREFCA和VREFDQ）。 1、 VDD（1.5V）電源是DDR3的核心電源，其引腳分布比較散，且電流相對(duì)會(huì)比較大，需要在電源平面分配一個(gè)區(qū)域給VDD（1.5V）；VDD的容差要求是5%，詳細(xì)在JEDEC里有敘述。通過(guò)電源層的平面電容和專(zhuān)用的一定數(shù)量的去耦電容，可以做到電源完整性。VDD電源平面處理如下圖2所示： 圖2：VDD電源處理 2、VTT電源，它不僅有嚴(yán)格的容差性，而且還有很大的瞬間電流；可以通過(guò)增加去耦電容來(lái)實(shí)現(xiàn)它的目標(biāo)阻抗匹配；由于VTT是集中在終端的上拉電阻處，不是很分散，且對(duì)電流有一定的要求，在處理VTT電源時(shí)，一般是在元件面同層通過(guò)鋪銅直接連接，銅皮要有一定寬度（120MIl）。VTT電源處理如圖3所示： 圖3：VTT電源 3.VREF電源 。 VREF要求更加嚴(yán)格的容差性，但是它承載的電流比較小。它不需要非常寬的走線，且通過(guò)一兩個(gè)去耦電容就可以達(dá)到目標(biāo)阻抗的要求。DDR3的VERF電源已經(jīng)分為VREFCA和VREFDQ兩部分，且每個(gè)DDR3顆粒都有單獨(dú)的VREFCA和VREFDQ，因其相對(duì)比較獨(dú)立，電流也不大，布線處理時(shí)也建議用與器件同層的銅皮或走線直接連接，無(wú)須在電源平面層為其分配電源。注意鋪銅或走線時(shí)，要先經(jīng)過(guò)電容再接到芯片的電源引腳，不要從分壓電阻那里直接接到芯片的電源引腳。VREF電源處理如圖4所示： 圖4：VREF電源 濾波電容的FANOUT 小電容盡量靠近相應(yīng)的電源引腳，電容的引線也要盡量短，并減少電源或地共用過(guò)孔； 圖5 ： 小濾波電容的Fanout Bulk電容的FANOUT 電源的Bulk電容一般在設(shè)計(jì)中起到的是儲(chǔ)能濾波的作用，在做Fanout時(shí)要多打孔，建議2個(gè)孔以上，電容越大需要過(guò)孔越多，也可以用鋪銅的形式來(lái)做。電容的電源孔和地孔盡量靠近打，如圖6所示。 圖6：儲(chǔ)能電容的Fanout 綜上所述，我們常規(guī)DDR3的走線設(shè)計(jì)總結(jié)如下表： 本文轉(zhuǎn)載自： 免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。 (mbbeetchina)