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設(shè)計(jì)EMI/EMC安全的電池包

2025-03-11 | pdf | 0.06 MB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

設(shè)計(jì)EMI/EMC安全電池組技術(shù)筆記

一、核心概念

(一)EMI定義

電磁干擾(EMI)是指設(shè)備或系統(tǒng)發(fā)出的電磁輻射,干擾其他設(shè)備正常運(yùn)行,也叫射頻干擾(RFI)。它分為輻射發(fā)射(經(jīng)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)傳出系統(tǒng))和傳導(dǎo)發(fā)射(沿電源線(xiàn)或通信線(xiàn)傳出系統(tǒng)的噪聲電流)。

(二)EMC定義

電磁兼容性(EMC)指設(shè)備或系統(tǒng)在所處電磁環(huán)境中能正常工作,且不會(huì)對(duì)環(huán)境中的其他設(shè)備造成不可接受的電磁干擾。

二、噪聲來(lái)源

實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中,EMI/RFI噪聲源眾多。像各類(lèi)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)會(huì)產(chǎn)生電磁干擾;手機(jī)通信、無(wú)線(xiàn)電廣播等無(wú)線(xiàn)信號(hào)傳輸會(huì)帶來(lái)射頻干擾;電力線(xiàn)的電流波動(dòng)、暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、洗衣機(jī)和烘干機(jī)等電器設(shè)備運(yùn)行,也都是常見(jiàn)的噪聲源。在設(shè)計(jì)電池組時(shí),必須了解這些噪聲可能的耦合路徑,才能有效減少干擾。

三、PCB中的耦合路徑

(一)電感耦合(近場(chǎng)耦合)

兩個(gè)靠近的電流回路會(huì)發(fā)生電感耦合,也叫磁耦合。一個(gè)回路(干擾源)產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)在另一個(gè)回路(受擾體)中感應(yīng)出電壓,其大小取決于互感以及干擾源導(dǎo)體中電流的變化率。源與受擾體間距小、電路回路面積大、受擾體電路阻抗高、導(dǎo)體或回路平行(雙絞線(xiàn)可改善)、高頻和大電流工作等情況,都會(huì)增強(qiáng)電感耦合。

(二)電容耦合(近場(chǎng)耦合)

當(dāng)兩個(gè)電位不同的電線(xiàn)靠近時(shí),會(huì)形成虛擬電容,使一個(gè)線(xiàn)路上的信號(hào)耦合到另一個(gè)線(xiàn)路,這種通過(guò)電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)能量耦合的方式就是電容耦合,也叫電場(chǎng)耦合。其耦合程度隨電壓擺幅和頻率增加而增強(qiáng),在低頻段,可使用電纜屏蔽來(lái)降低電容耦合。

(三)輻射耦合(遠(yuǎn)場(chǎng)耦合)

當(dāng)噪聲源與受干擾設(shè)備距離較遠(yuǎn)(通常超過(guò)一個(gè)波長(zhǎng))時(shí),會(huì)發(fā)生輻射耦合。此時(shí),噪聲源和受擾設(shè)備類(lèi)似無(wú)線(xiàn)電天線(xiàn),噪聲源發(fā)射電磁波,經(jīng)空間傳播后被受擾設(shè)備接收。

(四)共阻抗耦合(傳導(dǎo)干擾)

噪聲源和易受干擾的設(shè)備若存在共享的電流返回路徑,就可能出現(xiàn)共阻抗耦合,比如打開(kāi)高壓電器時(shí)燈光閃爍的現(xiàn)象。在PCB中,常見(jiàn)的公共接地返回路徑就是共阻抗耦合的例子,采用完整、未切割的接地平面,能減少接地返回路徑和噪聲耦合,降低電感耦合。

四、EMI/RFI抑制方法

(一)電源線(xiàn)噪聲抑制

共模噪聲濾波(Y電容):在多條電源線(xiàn)上表現(xiàn)相同、方向一致且經(jīng)接地返回的噪聲是共模噪聲。在電源線(xiàn)和底盤(pán)接地間接入Y電容可有效抑制,但Y電容失效可能引發(fā)觸電或火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)。Y電容失效分開(kāi)路和短路兩種情況,開(kāi)路會(huì)降低濾波效果,短路則使電源線(xiàn)接地,可能導(dǎo)致觸電。所以,要選用失效模式可控的Y電容,保障系統(tǒng)安全。

差模噪聲濾波(X電容):在多條電源線(xiàn)上表現(xiàn)不同的噪聲是差模噪聲,它在一條電源線(xiàn)流入,從另一條流出。在電源線(xiàn)間接入合適的X電容可抑制差模噪聲。X電容失效同樣有開(kāi)路和短路情況,開(kāi)路僅降低設(shè)備性能,短路則可能引發(fā)火災(zāi),使用X電容可確保失效時(shí)系統(tǒng)安全。

X和Y電容的分類(lèi):安全標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)額定電壓和能承受的峰值脈沖電壓,將X和Y電容分為不同類(lèi)別。X電容有X1 - X3類(lèi),Y電容有Y1 - Y4類(lèi),常用的是X1、X2、Y1和Y2類(lèi),它們分別能承受4kV、2.5kV、8kV和5kV的脈沖測(cè)試。在濾波應(yīng)用中,通常選用額定電壓高于預(yù)期電壓兩倍以上的安全電容。

(二)芯片/無(wú)源EMI抑制濾波器

芯片EMI抑制濾波器是配合屏蔽和其他保護(hù)措施,抑制電子設(shè)備電磁噪聲的元件,能從導(dǎo)線(xiàn)電流中提取并去除產(chǎn)生電磁噪聲的成分。例如,扼流圈可衰減高達(dá)幾百M(fèi)Hz頻率的噪聲,鐵氧體電纜磁環(huán)能過(guò)濾電纜外部耦合的噪聲,并減少對(duì)附近信號(hào)的電容性耦合。

(三)電磁屏蔽

電場(chǎng)屏蔽:也叫法拉第屏蔽,是在噪聲源和受影響節(jié)點(diǎn)間設(shè)置導(dǎo)電且接地的屏蔽層,將噪聲電流直接導(dǎo)入地,達(dá)到消除噪聲的目的,但屏蔽層必須接地。

低頻(LF)磁場(chǎng)屏蔽:低頻磁場(chǎng)下,導(dǎo)電金屬的趨膚深度大,需厚金屬塊屏蔽,通常采用高磁導(dǎo)率材料(如鐵氧體片),為磁路提供低阻路徑,防止磁場(chǎng)干擾電子系統(tǒng)。

高頻(HF)磁場(chǎng)屏蔽:高頻磁場(chǎng)下,導(dǎo)電片的趨膚深度低,可有效屏蔽高頻磁場(chǎng)。

屏蔽外殼:一般采用導(dǎo)電外殼降低電場(chǎng)和高頻磁場(chǎng)干擾,用高磁導(dǎo)率材料外殼降低低頻磁場(chǎng)干擾,但該方法不一定適用于電池組設(shè)計(jì)。

五、布局準(zhǔn)則

減小回路面積:使用完整的接地填充平面,可確保電流回路面積最小,從而降低電感耦合。

縮短高速信號(hào)和時(shí)鐘走線(xiàn)長(zhǎng)度:高速數(shù)字信號(hào)和時(shí)鐘是強(qiáng)噪聲源,縮短走線(xiàn)長(zhǎng)度能減少能量耦合機(jī)會(huì),同時(shí)要保證每條走線(xiàn)附近有良好的高頻電流返回路徑。

縮短連接到連接器的走線(xiàn)長(zhǎng)度:直接連接到連接器的走線(xiàn)容易耦合能量,縮短其長(zhǎng)度可降低干擾風(fēng)險(xiǎn)。

避免高頻信號(hào)走線(xiàn)在板載I/O元件下方:在元件下方走線(xiàn)可能導(dǎo)致電容性或電感性耦合,影響元件正常工作。

集中布局連接器:將所有連接器放置在電路板的同一邊緣或角落,便于控制共模電壓,減少輻射發(fā)射。

避免在I/O連接器間布置高速電路:即使連接器在同一邊緣,高速電路也可能在連接器間產(chǎn)生共模電壓,引發(fā)輻射問(wèn)題。

深埋關(guān)鍵信號(hào)或時(shí)鐘走線(xiàn):將關(guān)鍵走線(xiàn)布置在電源/接地平面之間,可有效限制走線(xiàn)產(chǎn)生的電磁場(chǎng),防止不必要的耦合。

選擇合適的數(shù)字元件:選用片外轉(zhuǎn)換時(shí)間滿(mǎn)足要求的數(shù)字元件,若轉(zhuǎn)換時(shí)間過(guò)快,可通過(guò)串聯(lián)電阻或鐵氧體減緩,降低高次諧波功率。

保持高速或敏感走線(xiàn)與板邊距離:高速或敏感走線(xiàn)應(yīng)距離板邊至少2X(X為走線(xiàn)與返回電流路徑的距離),減少與外界的串?dāng)_和耦合。

成對(duì)布線(xiàn)差分信號(hào):差分信號(hào)對(duì)要一起布線(xiàn),并與任何實(shí)體平面保持相同距離,以保證信號(hào)平衡,降低噪聲敏感性和輻射發(fā)射。

優(yōu)化電源和接地連接:有電源和接地平面的電路板,使用過(guò)孔連接元件的電源或接地焊盤(pán),避免使用走線(xiàn),減少連接電感,保證高頻性能。

處理接地平面:盡量保持接地平面完整,若需隔離特定區(qū)域電路,可在接地平面設(shè)置合適的間隙,但要注意避免低頻返回電流干擾。

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