片式電阻器亦稱(chēng)表面貼裝電阻器，它與其它片式元器件（SMC及SMD）一樣，是適用于表面貼裝技術(shù)(SMT)的新一代無(wú)引線或短引線微型電子元件。其引出端的焊接面在同一平面上。
片式壓敏電阻器(VARISTOR)是壓敏電阻器的一種，它是用氧化鋅非線性電阻元件作為核心而制成的電沖擊保護(hù)器件。氧化鋅非線性電阻元件是以氧化鋅(ZnO)為主體材料，添加多種其他微量元素，用陶瓷工藝制成的化合物半導(dǎo)體元件。它的基本特性是電流一電壓關(guān)系的非線性。當(dāng)加在它兩端的電壓低于某個(gè)閥電壓，即“壓敏電壓”時(shí)，它的電阻值極大，為兆歐級(jí)；而當(dāng)加在它兩端的電壓超過(guò)壓敏電壓后，電阻值隨電壓的增高急速下降，可小到歐姆級(jí)、毫歐姆級(jí)。壓敏電阻器與普通電阻器不同，普通電阻器遵守歐姆定律，而片式壓敏電阻器的電壓與電流則呈特殊的非線性關(guān)系。當(dāng)片式壓敏電阻器兩端所加電壓低于標(biāo)稱(chēng)額定電壓值時(shí)，其電阻值接近無(wú)窮大，內(nèi)部幾乎無(wú)電流流過(guò)。當(dāng)片式壓敏電阻器兩端電壓略高于標(biāo)稱(chēng)額定電壓時(shí)，它將被迅速擊穿導(dǎo)通，并由高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài)，工作電流也急劇增大。當(dāng)其兩端電壓低于標(biāo)稱(chēng)額定電壓時(shí)，片式壓敏電阻器又能恢復(fù)為高阻狀態(tài)。當(dāng)壓敏電阻器兩端電壓超過(guò)其最大限制電壓時(shí)，壓敏電阻器將完全擊穿損壞，無(wú)法再自行恢復(fù)。一般而言，片式壓敏電阻器的制作工藝流程如下：疊層，切割，排膠，燒結(jié)，倒角，涂敷，端電極，電鍍。
片式壓敏電阻器廣泛地應(yīng)用在家用電器及其它電子產(chǎn)品中，起過(guò)電壓保護(hù)、防雷、抑制浪涌電流、吸收尖峰脈沖、限幅、高壓滅弧、消噪、保護(hù)半導(dǎo)體元器件等作用。
片式壓敏電阻器的主要參數(shù)有：標(biāo)稱(chēng)電壓、電壓比、最大控制電壓、殘壓比、通流容量、漏電流、電壓溫度系數(shù)、電流溫度系數(shù)、電壓非線性系數(shù)、絕緣電阻、靜態(tài)電容等。
(1) 壓敏電壓(VARISTOR VOLTAGE)?
MYG05K規(guī)定通過(guò)的電流為0.1mA，MYG07K、MYG10K、MYG14K、MYG20K標(biāo)稱(chēng)電壓是指通過(guò)1mA直流電流時(shí)，壓敏電阻器兩端的電壓值。
所謂壓敏電壓，即擊穿電壓或閾值電壓。指在規(guī)定電流下的電壓值，大多數(shù)情況下用1mA直流電流通入壓敏電阻器時(shí)測(cè)得的電壓值，其產(chǎn)品的壓敏電壓范圍可以從10-9000V不等?？筛鶕?jù)具體需要正確選用。一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC，式中，Vp為電路額定電壓的峰值。VAC為額定交流電壓的有效值。ZnO壓敏電阻的電壓值選擇是至關(guān)重要的，它關(guān)系到保護(hù)效果與使用壽命。如一臺(tái)用電器的額定電源電壓為220V，則壓敏電阻電壓值V1mA=1.5Vp=1.5×1.414×220V=476V，V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V，因此壓敏電阻的擊穿電壓可選在470-480V之間。?
(2) 最大允許電壓（最大限制電壓MAXIMUM ALLOWABLE VOLTAGE）
此電壓分交流和直流兩種情況，如為交流，則指的是該壓敏電阻所允許加的交流電壓的有效值，以ACrms表示，所以在該交流電壓有效值作用下應(yīng)該選用具有該最大允許電壓的壓敏電阻，實(shí)際上V1mA與ACrms間彼此是相互關(guān)聯(lián)的，知道了前者也就知道了后者，不過(guò)ACrms對(duì)使用者更直接，使用者可根據(jù)電路工作電壓，可以直接按ACrms來(lái)選取合適的壓敏電阻。在交流回路中，應(yīng)當(dāng)有：min(U1mA) ≥(2.2~2.5)Uac，式中Uac為回路中的交流工作電壓的有效值。上述取值原則主要是為了保證壓敏電阻在電源電路中應(yīng)用時(shí)，有適當(dāng)?shù)陌踩６?。?duì)直流而言在直流回路中，應(yīng)當(dāng)有：min(U1mA) ≥(1.6~2)Udc，式中Udc為回路中的直流額定工作電壓。在信號(hào)回路中時(shí)，應(yīng)當(dāng)有：min(U1mA)≥(1.2~1.5)Umax，式中Umax為信號(hào)回路的峰值電壓。壓敏電阻的通流容量應(yīng)根據(jù)防雷電路的設(shè)計(jì)指標(biāo)來(lái)定。一般而言，壓敏電阻的通流容量要大于等于防雷電路設(shè)計(jì)的通流容量。
(3) 通流容量( Imax(8/20us))
通流容量也稱(chēng)通流量，是指在規(guī)定的條件（以規(guī)定的時(shí)間間隔和次數(shù)，施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流）下，允許通過(guò)壓敏電阻器上的最大脈沖（峰值）電流值。一般過(guò)壓是一個(gè)或一系列的脈沖波。實(shí)驗(yàn)壓敏電阻所用的沖擊波有兩種，一種是為8/20μs波，即通常所說(shuō)的波頭為8μs波尾時(shí)間為20μs的脈沖波，另外一種為2ms的方波。
所謂通流容量，即最大脈沖電流的峰值是環(huán)境溫度為25℃情況下，對(duì)于規(guī)定的沖擊電流波形和規(guī)定的沖擊電流次數(shù)而言，壓敏電壓的變化不超過(guò)±10％時(shí)的最大脈沖電流值。為了延長(zhǎng)器件的使用壽命，ZnO壓敏電阻所吸收的浪涌電流幅值應(yīng)小于手冊(cè)中給出的產(chǎn)品最大通流量。然而從保護(hù)效果出發(fā)，要求所選用的通流量大一些好。在許多情況下，實(shí)際發(fā)生的通流量是很難精確計(jì)算的，則選用2-20kA的產(chǎn)品。如手頭產(chǎn)品的通流量不能滿足使用要求時(shí)，可將幾只單個(gè)的壓敏電阻并聯(lián)使用，并聯(lián)后的壓敏電壓不變，其通流量為各單只壓敏電阻數(shù)值之和。要求并聯(lián)的壓敏電阻伏安特性盡量相同，否則易引起分流不均勻而損壞壓敏電阻。?
(4) 最大限制電壓(CLAMPING VOLTAGE (MAX.))?
最大限制電壓是指壓敏電阻器兩端所能承受的最高電壓值，它表示在規(guī)定的沖擊電流Ip通過(guò)壓敏電阻器兩端所產(chǎn)生的電壓此電壓又稱(chēng)為殘壓，所以選用的壓敏電阻的殘壓一定要小于被保護(hù)物的耐壓水平Vo，否則便達(dá)不到可靠的保護(hù)目的，通常沖擊電流Ip值較大，例如2.5A或者10A，因而壓敏電阻對(duì)應(yīng)的最大限制電壓Vc相當(dāng)大，例如MYG7K471其Vc=775（Ip=10A時(shí)）。
(5) 最大能量（能量耐量）?
壓敏電阻所吸收的能量通常按下式計(jì)算W=kIVT(J)
其中I——流過(guò)壓敏電阻的峰值；
V——在電流I流過(guò)壓敏電阻時(shí)壓敏電阻兩端的電壓；
T——電流持續(xù)時(shí)間；
k——電流I的波形系數(shù)。
對(duì)：
2ms的方波? k=1，
8/20μs波? k=1.4，
10/1000μs? k=1.4。
壓敏電阻對(duì)2ms方波，吸收能量可達(dá)330J每平方厘米；對(duì)8/20μs波，電流密度可達(dá)2000A每立方厘米，這表明他的通流能力及能量耐量都是很大的。
一般來(lái)說(shuō)壓敏電阻的片徑越大，它的能量耐量越大，耐沖擊電流也越大，選用壓敏電阻時(shí)還應(yīng)當(dāng)考慮經(jīng)常遇到能量較小、但出現(xiàn)頻率次數(shù)較高的過(guò)電壓，如幾十秒、一兩分鐘出現(xiàn)一次或多次的過(guò)電壓，這時(shí)就應(yīng)該考慮壓敏電阻所能吸收的平均功率。
(6) 電壓比：電壓比是指壓敏電阻器的電流為1mA時(shí)產(chǎn)生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時(shí)產(chǎn)生的電壓值之比。
(7) 額定功率
在規(guī)定的環(huán)境溫度下所能消耗的最大功率。
(8) 最大峰值電流( SURGE CURRENT (8/20μs) )
一次以8/20μs標(biāo)準(zhǔn)波形的電流作一次沖擊的最大電流值，此時(shí)壓敏電壓變化率仍在±10%以?xún)?nèi)。2次以8/20μs標(biāo)準(zhǔn)波形的電流作兩次沖擊的最大電流值，兩次沖擊時(shí)間間隔為5分鐘，此時(shí)壓敏電壓變化率仍在±10%以?xún)?nèi)。
(9) 殘壓比
流過(guò)壓敏電阻器的電流為某一值時(shí)，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱(chēng)為這一電流值的殘壓。殘壓比則為殘壓與標(biāo)稱(chēng)電壓之比。
(10)漏電流
漏電流又稱(chēng)等待電流，是指壓敏電阻器在規(guī)定的溫度和最大直流電壓下，流過(guò)壓敏電阻器的電流。
(11) 電壓溫度系數(shù)
電壓溫度系數(shù)是指在規(guī)定的溫度范圍（溫度為20~70℃）內(nèi)，壓敏電阻器標(biāo)稱(chēng)電壓的變化率，即在通過(guò)壓敏電阻器的電流保持恒定時(shí)，溫度改變1℃時(shí)壓敏電阻兩端的相對(duì)變化。
(12) 電流溫度系數(shù)
電流溫度系數(shù)是指在壓敏電阻器的兩端電壓保持恒定時(shí)，溫度改變1℃時(shí)，流過(guò)壓敏電阻器電流的相對(duì)變化。?
(13) 電壓非線性系數(shù)
電壓非線性系數(shù)是指壓敏電阻器在給定的外加電壓作用下，其靜態(tài)電阻值與動(dòng)態(tài)電阻值之比。
(14) 絕緣電阻
絕緣電阻是指壓敏電阻器的引出線（引腳）與電阻體絕緣表面之間的電阻值。
(15) 靜態(tài)電容
靜態(tài)電容是指壓敏電阻器本身固有的電容容量。
壓敏電阻雖然能吸收很大的浪涌電能量，但不能承受毫安級(jí)以上的持續(xù)電流，在用作過(guò)壓保護(hù)時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。壓敏電阻的選用，一般選擇標(biāo)稱(chēng)壓敏電壓V1mA和通流容量?jī)蓚€(gè)參數(shù)。
2? 片式壓敏電阻的應(yīng)用行業(yè)
壓敏電阻主要是用來(lái)保護(hù)那些易受靜電和高壓等破壞環(huán)境的一種電阻，在一些集成化較高，應(yīng)用功能復(fù)雜的環(huán)境中應(yīng)用較多，其中片式壓敏電阻體積小，適應(yīng)于高度集成化的電子環(huán)境。據(jù)了解，手持式電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，使得手機(jī)、手提電腦、PDA、數(shù)碼相機(jī)和醫(yī)療儀器等產(chǎn)品對(duì)電路系統(tǒng)的速度和工作電壓提出更為嚴(yán)格的要求。片式壓敏電阻雖因其響應(yīng)速度快、無(wú)極性、成本低以及和SMT工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)而被推到了市場(chǎng)前沿。
在手機(jī)中的應(yīng)用中，由于增加了多種新功能，如彩屏、可拍照、MMS，手機(jī)中的IC集成度也越來(lái)越高，與此同時(shí)，半導(dǎo)體器件和IC的工作電壓越來(lái)越低，當(dāng)芯片變得越來(lái)越薄時(shí)，遭受過(guò)電壓和靜電放電(ESD)危害的幾率大大增加了。由于過(guò)電壓和靜電放電對(duì)集成電路和半導(dǎo)體器件會(huì)造成損壞，因而需要大量的過(guò)電壓保護(hù)元件來(lái)對(duì)昂貴的半導(dǎo)體器件提供保護(hù)。
片式壓敏電阻行情看好，但同時(shí)卻面臨了一個(gè)尷尬，片式壓敏電阻由于價(jià)格堅(jiān)挺，一般而言，同種類(lèi)型的片式壓敏電阻要比DIP型的價(jià)格高出3-5倍。以致擴(kuò)大市場(chǎng)份額的過(guò)程中和貼片LED同顯步履蹣跚。元件市場(chǎng)片式壓敏電阻的實(shí)際情形是，供應(yīng)市場(chǎng)不大，需求市場(chǎng)也不大。目前壓敏電阻市場(chǎng)DIP直插產(chǎn)品是主流，SMT產(chǎn)品則是發(fā)展趨勢(shì)。片式壓敏電阻雖有更大的發(fā)展空間，但尚未找到合適的契機(jī)。目前，正規(guī)渠道的片式壓敏電阻不少是來(lái)自臺(tái)灣生產(chǎn)的，但現(xiàn)貨市場(chǎng)卻流通著不少非臺(tái)灣產(chǎn)的不知名水貨產(chǎn)品。由于水貨的價(jià)格和正品相比有一倍之差，也有客戶樂(lè)意買(mǎi)水貨產(chǎn)品。
3? 片式壓敏電阻的規(guī)模
3.1 特色市場(chǎng)需求
2008年來(lái)片式壓敏電阻的潛在規(guī)模巨大，未來(lái)片式壓敏電阻市場(chǎng)發(fā)展極其強(qiáng)勁，今后幾年全球市場(chǎng)的年增長(zhǎng)率將保持在15%，而銷(xiāo)售額每年將增長(zhǎng)11%。到2010年全球貼片式壓敏電阻的年產(chǎn)量將達(dá)到400億只。
由于目前大部分片式壓敏電阻都應(yīng)用在手機(jī)中，因此有關(guān)專(zhuān)業(yè)人士做了一個(gè)估計(jì)，平均每部手機(jī)中要使用的片式壓敏電阻為10-15個(gè)，當(dāng)手機(jī)中功能不斷增加，諸如集成數(shù)碼相機(jī)功能后，每部手機(jī)中需要的壓敏電阻數(shù)量更多。 以中國(guó)2008年1.6億部手機(jī)的產(chǎn)量來(lái)估算，片式壓敏電阻的每年消耗量就已經(jīng)超過(guò)18億只。而手機(jī)的發(fā)展可謂方興未艾，隨著新的客戶群體的開(kāi)發(fā)以及由于新功能增多帶來(lái)的換機(jī)熱潮的到來(lái)，中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)的發(fā)展速度將繼續(xù)高于全球的增長(zhǎng)水平。由此可見(jiàn)，手機(jī)市場(chǎng)對(duì)壓敏電阻的需求將穩(wěn)步！
2009年中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)將迎來(lái)新的增長(zhǎng)點(diǎn)，國(guó)家加大3G這塊的投入，帶動(dòng)手機(jī)銷(xiāo)量會(huì)更上一個(gè)新的臺(tái)階，據(jù)有關(guān)數(shù)據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2009年手機(jī)年增長(zhǎng)率達(dá)到7.7%，約2.4000萬(wàn)只的規(guī)模，片式壓敏電阻的年消耗量預(yù)計(jì)會(huì)超過(guò)超過(guò)50億只！
3.2 片式電阻的發(fā)展?fàn)顩r
2008年全球主要應(yīng)用整機(jī)產(chǎn)量：PC機(jī)3022億臺(tái)，同比增長(zhǎng)3%，移動(dòng)電話1.6億臺(tái)，同比下降1.5%。受全球金融危機(jī)的影響，近兩年整機(jī)的發(fā)展速度會(huì)有所放緩，但從整機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)看，片式電阻的發(fā)展空間是很大的。專(zhuān)家預(yù)測(cè)，在品種分配上，0603型所占比例將會(huì)保持不變，約占40-50%；0805型將會(huì)以20%的速度遞減；0402型將會(huì)以20-25%的速度遞增。
因?yàn)楦?jìng)爭(zhēng)激烈和制作成本的降低，全球各整機(jī)及元器件的生產(chǎn)商們紛紛將自己的部分生產(chǎn)任務(wù)轉(zhuǎn)移到海外的生產(chǎn)基地，尤其是中國(guó)大陸的生產(chǎn)基地，而只在本地生產(chǎn)高附加值的高檔產(chǎn)品?？梢哉f(shuō)我國(guó)內(nèi)地片式電阻器的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)更加激烈和殘酷。
目前，在全球片式電阻的總銷(xiāo)售量中，日本占30%~40%，臺(tái)灣占50%左右。臺(tái)灣國(guó)巨(yageo)公司已成為世界上片式電阻的第一大生產(chǎn)商，近年來(lái)國(guó)巨在中國(guó)大陸市場(chǎng)繼續(xù)擴(kuò)大，芯片電阻市場(chǎng)第一，為39%，MLCC市場(chǎng)份額為13%，0201芯片電阻，芯片排阻和高容MLCC也是成功應(yīng)用手機(jī)、MP3/MP4、智能手機(jī)，2000年生產(chǎn)片式電阻100億只/月，2003年年底的生產(chǎn)能力達(dá)到300億只/月，發(fā)展速度極其驚人。據(jù)依萊達(dá)咨詢(xún)估計(jì)，2008年全球片式電阻的總生產(chǎn)能力達(dá)到27，000億只。
中國(guó)片式電阻產(chǎn)業(yè)在1995年以后得到了超高速發(fā)展。一方面內(nèi)資企業(yè)如風(fēng)華高科、北海銀河、振華科技等企業(yè)迅速發(fā)展壯大；另一方面，大量的國(guó)際電阻廠商紛紛將生產(chǎn)基地向大陸轉(zhuǎn)移，在內(nèi)資和外資的共同推動(dòng)下，中國(guó)片式電阻的產(chǎn)量從1995年的18.8億只激增至2000年的838億只，5年間平均發(fā)展速度超過(guò)100%，2001年達(dá)到925億只，2002年達(dá)到1110億只，2004年達(dá)到2180億只， 2006年可達(dá)到6000億只，預(yù)計(jì)2009年可達(dá)到9000億只2006年中國(guó)片式電阻生產(chǎn)能力超過(guò)6000億只，占同期全球片式電阻總生產(chǎn)能力的54.44%，中國(guó)已經(jīng)成為全球片式電阻生產(chǎn)大國(guó)。（數(shù)據(jù)來(lái)源：依萊達(dá)咨詢(xún)）
目前，中國(guó)片式電阻制造商基本上是內(nèi)資、臺(tái)資和日系企業(yè)三分天下，廠商布局主要分布于華東和華南地區(qū)。日本的KOA和京瓷、韓國(guó)的三星以及臺(tái)灣地區(qū)的國(guó)巨、旺荃、厚聲等在華南和華東地區(qū)建立了大量的生產(chǎn)廠，本地化的制造壓縮了本土廠商原有的優(yōu)勢(shì)，對(duì)大陸企業(yè)的威脅日益增強(qiáng)。
4? 競(jìng)爭(zhēng)狀況
中國(guó)片式電阻產(chǎn)業(yè)在1995年以后得到了超高速發(fā)展。一方面內(nèi)資企業(yè)如風(fēng)華高科、北海銀河、振華科技等企業(yè)迅速發(fā)展壯大；另一方面，大量的國(guó)際電阻廠商紛紛將生產(chǎn)基地向大陸轉(zhuǎn)移，目前，中國(guó)片式電阻制造商基本上是內(nèi)資、臺(tái)資和日系企業(yè)三分天下，廠商布局主要分布于華東和華南地區(qū)。日本的KOA和京瓷、韓國(guó)的三星以及臺(tái)灣地區(qū)的國(guó)巨、旺荃、厚聲等在華南和華東地區(qū)建立了大量的生產(chǎn)廠，目前，這些廠家大部分都有片式壓敏電阻的生產(chǎn)能力。
片式壓敏電阻，目前已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)片式壓敏電阻的企業(yè)主要是日本的TDK及臺(tái)灣的一些企業(yè)，大陸本土的主要是常州星翰科技，這是國(guó)家863計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目，計(jì)劃在今年形成1.9億片的生產(chǎn)能力，產(chǎn)值可達(dá)1000萬(wàn)美元，并最終能夠?yàn)镺EM廠家、分銷(xiāo)商和電子制造企業(yè)每年提供12億片0402型片式壓敏電阻。此外，廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、南陽(yáng)金冠集團(tuán)有限責(zé)任公司等也是片式壓敏電阻的生產(chǎn)企業(yè)。
5? 國(guó)家規(guī)劃及整體趨勢(shì)
5.1 世界市場(chǎng)需求分析
按照我國(guó)電子元件15個(gè)大類(lèi)產(chǎn)品統(tǒng)計(jì)，2005年世界電子元件市場(chǎng)銷(xiāo)售額將達(dá)到2200億美元，預(yù)計(jì)2010年世界電子元件市場(chǎng)將達(dá)到3614億美元，產(chǎn)品產(chǎn)量將達(dá)到38400億只。國(guó)際市場(chǎng)，據(jù)日本電子工業(yè)振興會(huì)對(duì)世界電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)，2010年世界電子信息制造業(yè)市場(chǎng)將達(dá)19055億美元，其中，電子元件市場(chǎng)將達(dá)2800億美元，占14.7%。2005年至2010年年均增長(zhǎng)5.4%。另?yè)?jù)報(bào)道，全球片式元器件產(chǎn)量將從2005年15000億只，增至2010年25000億只，年均增長(zhǎng)13%。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，據(jù)市場(chǎng)咨詢(xún)和顧問(wèn)機(jī)構(gòu)IDC預(yù)測(cè)，中國(guó)IT市場(chǎng)從2003年至2008年，將以15.6%年復(fù)合增長(zhǎng)率保持快速增長(zhǎng)，市場(chǎng)前景良好。據(jù)SMT預(yù)測(cè)，2010年中國(guó)電子產(chǎn)品市場(chǎng)7200億美元，按照我國(guó)電子信息制造業(yè)2005年將實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入31100億元（比“九五”期末翻兩番）計(jì)算，2010年我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)將可實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入60000-64000億元（比“十五”期末再翻一番），為電子元件提供了巨大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。在全球化的浪潮中，企業(yè)兼并重組，產(chǎn)業(yè)梯次轉(zhuǎn)移，特別是世界電子元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，生產(chǎn)集中度不斷提高，新材料、新工藝、新設(shè)備大量涌現(xiàn)，電子元件的技術(shù)又有了新的進(jìn)展，主要表現(xiàn)在：片式化、小型化已成為衡量電子元件技術(shù)發(fā)展水平的重要標(biāo)志之一，世界各國(guó)包括亞太地區(qū)、印度等發(fā)展中國(guó)家和地區(qū)，各類(lèi)電子元件均已有相應(yīng)的片式化產(chǎn)品。其中，片式電容、片式電阻、片式電感三大無(wú)源元件，約占全球片式元件總產(chǎn)量的85%-90%。電子元件片式化的同時(shí)，小型化也在迅速發(fā)展，不僅傳統(tǒng)元件在迅速小型化，片式元件也在迅速小型化。以MLCC為例，1980年主流產(chǎn)品型式為3216（32×1.6×12mm），2002年為1005(1.0×0.5×0.5mm)，2005年0603(0.6×0.3×0.3mm)已成為主流產(chǎn)品型式，產(chǎn)品的體積已經(jīng)縮小到1980年時(shí)的1%。復(fù)合化、集成化隨著電子設(shè)備的輕薄小型化的進(jìn)程加快，電子元件復(fù)合化和集成化的步伐也在加快，片式電阻網(wǎng)絡(luò)技術(shù)早已成熟，1005型4連的片式電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用急速增長(zhǎng)，片式MLCC網(wǎng)絡(luò)1608型4連、1005型2連產(chǎn)品已批量生產(chǎn)。由于LTCC工藝技術(shù)的迅猛發(fā)展，片式集成無(wú)源元件(IPD)已在手機(jī)、局域網(wǎng)、藍(lán)牙等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。預(yù)計(jì)2005年，12%手機(jī)中的無(wú)源元件將被IPD取代。高性能化、高頻化電子設(shè)備的微波波段已成為重要的發(fā)展趨勢(shì)，要求電子元件的使用頻段向更高的方向發(fā)展。電容器主要是降低ESR（等效串聯(lián)電阻）和ESL（等效串聯(lián)電感），如3212型三端電容器（2200pf），ESL=0.03nH，ESR=32mQ，分別為常規(guī)產(chǎn)品的1/12和1/8,片式電感器的使用頻率已達(dá)到12GHz，射頻同軸連接器的工作頻率已達(dá)110GHz。高工作溫度的需求在地質(zhì)勘探、汽車(chē)電子和航空航天領(lǐng)域日益高漲，-55℃~+150℃和-55℃~+300℃的陶瓷電容器，-55℃~+175℃和-55℃~+300℃的有機(jī)薄膜電容器，150℃2000H高溫的鋁電解電容器已經(jīng)面世，500℃~1100℃的高溫?zé)崦綦娮枰言谄?chē)電子中獲得應(yīng)用。
5.2 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求分析
“十一五”期間，隨著世界電子信息產(chǎn)品制造業(yè)將加快向中國(guó)轉(zhuǎn)移，我國(guó)電子信息產(chǎn)品制造業(yè)的規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大，從而將進(jìn)一步拉動(dòng)電子材料和元器件市場(chǎng)的迅速擴(kuò)大。市場(chǎng)規(guī)模將由2005年1.15萬(wàn)億元增長(zhǎng)到2010年的3.1萬(wàn)億元，其中，2010年電子元件市場(chǎng)將達(dá)到2萬(wàn)億元，電子器件將達(dá)9000億元，電子材料將達(dá)到2000億元。
表1列出主要元器件和材料產(chǎn)品國(guó)內(nèi)外銷(xiāo)售收入和市場(chǎng)的預(yù)測(cè)。
5.3 產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的環(huán)境
未來(lái)幾年，隨著下一代互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信、數(shù)字電視的逐步推進(jìn)，電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代將為電子元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)大量的市場(chǎng)機(jī)遇，并帶動(dòng)相關(guān)電子材料產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。
隨著綜合國(guó)力的提高，投入能力不斷提升，國(guó)家和企業(yè)重視程度不斷加深。國(guó)家科技中長(zhǎng)期規(guī)劃、國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十一個(gè)五年規(guī)劃綱要以及信息產(chǎn)業(yè)“十一五”規(guī)劃中重大專(zhuān)項(xiàng)實(shí)施，TFT-LCD、LED等產(chǎn)業(yè)的專(zhuān)項(xiàng)扶持政策落實(shí)，國(guó)家電子信息產(chǎn)業(yè)園建設(shè)工作不斷深入，將為電子基礎(chǔ)產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展創(chuàng)造更為有利的宏觀環(huán)境。
未來(lái)幾年，電子整機(jī)產(chǎn)品的更新?lián)Q代，對(duì)電子材料和元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提出了更高的要求。新技術(shù)、新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化所需的技術(shù)和資金門(mén)檻越來(lái)越高，投資風(fēng)險(xiǎn)增大，產(chǎn)品更新?lián)Q代速度進(jìn)一步加快，電子信息產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合和企業(yè)橫向整合趨勢(shì)將更加明顯，產(chǎn)業(yè)集中度不斷提高，國(guó)內(nèi)企業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
同時(shí)，跨國(guó)公司在加快低附加值產(chǎn)業(yè)對(duì)外轉(zhuǎn)移的同時(shí)，牢牢控制著高端元器件和關(guān)鍵電子材料等產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)，關(guān)鍵技術(shù)受制于人的局面短期內(nèi)將難以改變。
5.4 “十一五”發(fā)展思路和目標(biāo)
5.4.1 發(fā)展思路
“十一五”期間，繼續(xù)鞏固我國(guó)在傳統(tǒng)元器件和部分電子材料領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步推進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整和技術(shù)升級(jí)。堅(jiān)持跟蹤與突破相結(jié)合、引進(jìn)與創(chuàng)新相結(jié)合，有所為有所不為，集中力量，重點(diǎn)突破量大面廣新型元器件、新型顯示器件、關(guān)鍵電子材料，形成一批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的優(yōu)勢(shì)企業(yè)。
新型元器件產(chǎn)業(yè)：以片式化、微型化、集成化、高性能化、無(wú)害化為目標(biāo)，突破關(guān)鍵技術(shù)，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)；促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游互動(dòng)發(fā)展，著力培育骨干企業(yè)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)。
新型顯示器件產(chǎn)業(yè)：面向數(shù)字化、高清晰化、平板化需求，優(yōu)先發(fā)展TFT-LCD和PDP，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，培育自主創(chuàng)新能力；重點(diǎn)支持新一代平板顯示器件和投影器件的工藝和生產(chǎn)技術(shù)開(kāi)發(fā)，力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；加快傳統(tǒng)彩管產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，積極發(fā)展高清晰度、短管頸等高端產(chǎn)品。
電子材料產(chǎn)業(yè)：加強(qiáng)國(guó)際合作，推動(dòng)產(chǎn)用結(jié)合，突破部分關(guān)鍵技術(shù)，縮小電子材料與國(guó)外先進(jìn)水平的差距。重點(diǎn)發(fā)展技術(shù)含量高、市場(chǎng)前景好的電子信息材料，提高國(guó)內(nèi)自主配套能力；注重環(huán)保型電子材料的開(kāi)發(fā)。
5.4.2 發(fā)展目標(biāo)
到2010年，我國(guó)電子元器件總產(chǎn)量達(dá)到1.8萬(wàn)億只，電子材料和元器件銷(xiāo)售收入力爭(zhēng)達(dá)到2.5萬(wàn)億元，工業(yè)增加值達(dá)到6000億元，出口創(chuàng)匯600億美元。培育2-3家銷(xiāo)售收入超過(guò)500億元，10家以上銷(xiāo)售收入100億元的電子元器件企業(yè)。新型元器件產(chǎn)業(yè)：到2010年，銷(xiāo)售收入1.8萬(wàn)億元，阻容感片式化率達(dá)到90%。電子元器件國(guó)際市場(chǎng)占有率達(dá)到30%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)到50%。電子元件百?gòu)?qiáng)企業(yè)的銷(xiāo)售收入占元件全行業(yè)的40%以上。新型顯示器件產(chǎn)業(yè)：到2010年，建立較為完備的新型顯示器件生產(chǎn)體系，產(chǎn)業(yè)鏈基本齊全，新型顯示器件產(chǎn)業(yè)達(dá)到規(guī)模2500億元，有較強(qiáng)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。建立以企業(yè)為主體，產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的創(chuàng)新體系，形成可持續(xù)發(fā)展能力。逐步提高國(guó)產(chǎn)化水平，實(shí)現(xiàn)中、高檔產(chǎn)品滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求的50%以上，中、低檔產(chǎn)品基本滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求。
電子材料產(chǎn)業(yè)：“十一五”期間，我國(guó)電子材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模力爭(zhēng)達(dá)到1000億元，國(guó)內(nèi)平均自我配套能力在30%以上，培育若干名牌產(chǎn)品和重點(diǎn)企業(yè)，主要電子信息材料的技術(shù)水平和產(chǎn)品性能與當(dāng)時(shí)的國(guó)際水平相當(dāng)。并形成相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。