資料介紹
IGBT的優(yōu)勢(shì)在于輸入阻抗很高,開關(guān)速率快,導(dǎo)通態(tài)電壓低,關(guān)斷時(shí)阻斷電壓高,集電極和發(fā)射機(jī)承受電流大的特點(diǎn),目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了,由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展,單管模塊,半橋模塊,6管模塊,到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上比較復(fù)雜,需要考慮較多的因素,諸如合理的選擇驅(qū)動(dòng)電壓Uge和門極驅(qū)動(dòng)電阻Rg,過流過壓保護(hù)等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS,感應(yīng)加熱,逆變焊機(jī)電源,變頻器等領(lǐng)域。

圖1:半橋模塊

圖2:全橋模塊(H橋)

圖3:三相全橋6管封裝
對(duì)于世強(qiáng)代理的Vincotech7管封裝的IGBT模塊主要是用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的變速調(diào)節(jié)和新能源逆變上,他由6管再加一個(gè)帶制動(dòng)的IGBT單管封裝在一起構(gòu)成一個(gè)7管的封裝。

圖1:半橋模塊

圖2:全橋模塊(H橋)

圖3:三相全橋6管封裝
對(duì)于世強(qiáng)代理的Vincotech7管封裝的IGBT模塊主要是用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的變速調(diào)節(jié)和新能源逆變上,他由6管再加一個(gè)帶制動(dòng)的IGBT單管封裝在一起構(gòu)成一個(gè)7管的封裝。
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