chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

淺談門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)IGBT性能的影響

大大通 ? 2024-02-27 08:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

絕緣門(mén)極雙極型晶體管IGBT)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、飽和壓降低、耐壓高電流大等優(yōu)點(diǎn),因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)廣泛。但是IGBT良好特性的發(fā)揮往往因其門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)電路上的不合理,制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。

無(wú)論是MOSFET還是IGBT,都是受門(mén)極控制的器件。在相同電流的條件下,一般門(mén)極電壓用得越高,導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T(mén)極電壓越高意味著溝道反型層強(qiáng)度越強(qiáng),由門(mén)極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小,流過(guò)相同電流的壓降就越低。不過(guò)器件導(dǎo)通損耗除了受這個(gè)門(mén)極溝道影響外,還和芯片的厚度有很大的關(guān)系,一般越薄的導(dǎo)通損耗越小,所以同等芯片面積下寬禁帶的器件導(dǎo)通損耗要小得多。而相同材料下耐壓越高的器件就會(huì)越厚,導(dǎo)通損耗就會(huì)變大。這種由芯片厚度引起的導(dǎo)通損耗不受門(mén)極電壓影響,所以器件耐壓越高,門(mén)極電壓即使進(jìn)一步增大對(duì)導(dǎo)通損耗貢獻(xiàn)是有限的。門(mén)極的正壓對(duì)降低開(kāi)關(guān)損耗也是有幫助的。因?yàn)殚_(kāi)通的過(guò)程相當(dāng)于一個(gè)對(duì)門(mén)極電容充電的過(guò)程,初始電壓越大,充電越快,一般來(lái)說(shuō)開(kāi)通損耗越小。而關(guān)斷損耗則受門(mén)極負(fù)壓影響,幾乎不受門(mén)極正電壓影響。

凡事有得有失,雖然門(mén)極電壓高對(duì)導(dǎo)通損耗和開(kāi)通損耗都好,但是會(huì)犧牲短路性能。下式為MOSFET短路電流的理論公式,IGBT短路行為與MOSFET類(lèi)似。式中μn為電子的遷移速率,Cox為單位面積柵氧化層電容,W/L為氧化層寬長(zhǎng)比,Vgs為驅(qū)動(dòng)正電壓,Vth為門(mén)極閾值電壓。從式中可以看出,門(mén)極正電壓越大,電流會(huì)明顯上升。

wKgZomXe6nqAd-PxAAAlzZRHipU619.png

比如IGBT在門(mén)極電壓15V下有10μs的短路能力,但在門(mén)極16V時(shí),短路能力會(huì)下降到7μs不到。

無(wú)論對(duì)IGBT還是SiC MOSFET來(lái)說(shuō),使用的門(mén)極正電壓越高,導(dǎo)通損耗和開(kāi)通損耗都會(huì)降低,對(duì)整體開(kāi)關(guān)效率有利。但是會(huì)影響器件的短路耐受能力。如果在使用SiC MOSFET時(shí)不需要短路能力的話(huà),建議適當(dāng)提高門(mén)極的正電壓。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8620

    瀏覽量

    220498
  • 驅(qū)動(dòng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    1918

    瀏覽量

    86939
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4071

    瀏覽量

    254587
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Power Integrations推出高可靠性汽車(chē)級(jí)SCALE-iDriver門(mén)驅(qū)動(dòng)

    Power Integrations今日推出適合額定電壓750V IGBT的汽車(chē)級(jí)SID1181KQSCALE-iDriver門(mén)驅(qū)動(dòng)器。繼
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:42 ?3442次閱讀

    IGBT驅(qū)動(dòng)電路

    驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT 的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT 的開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗
    發(fā)表于 09-09 12:22

    淺析IGBT門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)

    門(mén)驅(qū)動(dòng)問(wèn)題做了一些總結(jié),希望對(duì)廣大IGBT應(yīng)用人員有一定的幫助?! ? IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)要求
    發(fā)表于 10-15 22:47

    淺析IGBT門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)

    門(mén)驅(qū)動(dòng)問(wèn)題做了一些總結(jié),希望對(duì)廣大IGBT應(yīng)用人員有一定的幫助?! ? IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)要求
    發(fā)表于 11-28 23:45

    IGBT柵極電壓尖峰分析

    IGBT門(mén)極開(kāi)通電壓尖峰是怎么回事? 圖1a IGBT門(mén)極開(kāi)通尖峰 圖1b IGBT
    發(fā)表于 04-26 21:33

    分析IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)

    分析IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)鑒于絕緣柵雙極晶體管IGBT在逆變電焊機(jī)中的應(yīng)用日益普、及,針對(duì)IGBT門(mén)
    發(fā)表于 03-14 19:08 ?50次下載

    IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)

    針對(duì)IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)分析了驅(qū)動(dòng)波形、功率、布線(xiàn)和隔離等方面的要求, 并介紹一些典型電路
    發(fā)表于 08-31 16:32 ?130次下載

    安森美半導(dǎo)體推出IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)器 提供同類(lèi)最佳的電流性能和保護(hù)特性

    展示針對(duì)強(qiáng)固電源應(yīng)用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅(qū)動(dòng)器, 提供同類(lèi)最佳的電流性能和保護(hù)特性 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON
    的頭像 發(fā)表于 05-14 11:44 ?4886次閱讀

    Power Integrations推出汽車(chē)級(jí)門(mén)驅(qū)動(dòng)器,采用FluxLink通信技術(shù)

    深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車(chē)級(jí)SID118
    的頭像 發(fā)表于 01-16 09:31 ?3242次閱讀

    IGBT和SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)參數(shù)的計(jì)算方法

    在對(duì)功率模塊選型的時(shí)候要根據(jù)功率模塊的參數(shù)匹配合適的驅(qū)動(dòng)器。這就要求在特定的條件下了解門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)性能和參數(shù)的計(jì)算方法。 本文將以實(shí)際產(chǎn)品中用到
    發(fā)表于 02-22 14:45 ?17次下載
    <b class='flag-5'>IGBT</b>和SiC MOSFET的<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>參數(shù)的計(jì)算方法

    IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)規(guī)范說(shuō)明

    目錄 定義和分類(lèi) IGBT的使用和門(mén)極電路設(shè)計(jì) 各類(lèi)型的驅(qū)動(dòng)電路介紹 IGBT過(guò)壓的產(chǎn)生和抑制機(jī)理
    發(fā)表于 02-24 15:15 ?4次下載
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>門(mén)</b>極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>設(shè)計(jì)規(guī)范說(shuō)明

    測(cè)量IGBT門(mén)級(jí)可以用低壓探頭嗎?

    級(jí)進(jìn)行測(cè)量。那可以使用低壓探頭來(lái)測(cè)試IGBT門(mén)級(jí)嗎? 首先,IGBT門(mén)
    的頭像 發(fā)表于 06-06 14:28 ?638次閱讀
    測(cè)量<b class='flag-5'>IGBT</b>的<b class='flag-5'>門(mén)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>可以用低壓探頭嗎?

    igbt驅(qū)動(dòng)電壓多少伏正常范圍

    的工作狀態(tài)和性能。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)電壓的概念 IGBT驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:24 ?6087次閱讀

    igbt如何選擇合適的驅(qū)動(dòng)電壓

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT驅(qū)動(dòng)電壓是指
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:28 ?2297次閱讀

    igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓怎樣測(cè)量

    IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓的測(cè)量是一個(gè)專(zhuān)業(yè)且復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題,涉及到電子電路、測(cè)量技術(shù)、焊接工藝等多個(gè)方面。 一、IGBT焊機(jī)概述 IGBT(Ins
    的頭像 發(fā)表于 08-07 15:58 ?2303次閱讀