設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術，在1.8V電壓供電下，該射頻開關收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。目前，全球無線通信系統(tǒng)正處于快速發(fā)展進程中，無線通信“行業(yè)專網(wǎng)”系統(tǒng)也正處于飛速發(fā)展的黃金時期。我國無線通信行業(yè)專網(wǎng)所用頻點和帶寬種類繁多，其頻率 主要集中在0.1-1.2GHz。各專網(wǎng)使用不同的頻點、射頻帶寬和信號帶寬，標準不統(tǒng)一，導致各行業(yè)專網(wǎng)設備所用的不同，同時對各個窄帶射頻前 端芯片的需求難以形成規(guī)模效應，且成本高、配套困難。目前行業(yè)專網(wǎng)所用的窄帶射頻前端芯片多數(shù)被國外公司所壟斷，因此我們國家迫切的需要一套面向 0.1-1.2GHz行業(yè)專網(wǎng)頻段的無線寬帶射頻收發(fā)芯片，以滿足新一代寬帶無線移動通信網(wǎng)的基本需求。射頻無線收發(fā)芯片已經(jīng)在手機、 雷達、無線局域網(wǎng)（WLAN）及廣播等多個窄帶或寬帶無線收發(fā)系統(tǒng)中得到了廣泛應用。從頻域來看，超寬帶與傳統(tǒng)的窄帶和寬帶有著明顯的區(qū)別，超寬帶的相對 帶寬（信號帶寬與中心頻率之比）通常要在25%以上。此，0.1-1.2GHz頻段無線寬帶射頻收發(fā)芯片屬于超寬帶電路。目前，在CMOS工藝下，國 際、國內尚無成熟商用超寬帶射頻收發(fā)芯片解決方案可以滿足該頻段的設計需求。無線超寬帶射頻收發(fā)芯片由射頻收發(fā)開關（T/R Switch）、低噪聲放大器（LNA）、混頻器（Mixer）、功率放大器（PA）、濾波器等多個電路模塊組成。射頻收發(fā)開關（T/R switch）作為無線寬帶收發(fā)芯片的最前端電路，主要作用是控制整個收發(fā)機芯片的接收與發(fā)射狀態(tài)的切換（如圖1所示），它連接著收發(fā)天線、低噪聲放大器和 功率放大器，是收發(fā)芯片中的關鍵模塊。傳統(tǒng)射頻收發(fā)開關的制造工藝有很多，目前市場常見的產(chǎn)品絕大部分采用的是III-V族工藝或者PIN二極管等分立器 件。這類開關的優(yōu)點是功耗較低，并且隔離度較好。然而它們的缺點是成本高、功耗大，并且占用面積也較大。隨著工藝技術的不斷發(fā)展，CMOS技術因其具有高 集成度、低成本和低功耗等突出優(yōu)點，使得采用CMOS工藝實現(xiàn)射頻收發(fā)開關已經(jīng)成為一種必然的趨勢。

　　插入損耗、隔離度和線性度，是衡量射頻收發(fā)開關特性的三個關鍵指標，除此之外，回波損耗也是一項主要指標。傳統(tǒng)的對稱式射頻收發(fā)開關普遍采用普通的四個 NMOS管串并聯(lián)結構進行設計。這種結構的優(yōu)點是隔離度較好，但是一定程度上會惡化插入損耗和線性度，其典型仿真插入損耗為1dB左右。2008年，在基本的NMOS管串聯(lián)結構基礎上，采用深N阱工藝的NMOS 器件，運用一種改進型的體懸浮（body-floating）技術，實現(xiàn)了 一個寬帶射頻收發(fā)開關。與傳統(tǒng)的串并聯(lián)結構開關電路相比，該結構具有更高的線性度以及更低的插入損耗等優(yōu)點。本文中所設計的 射頻收發(fā)開關是在典型的串并聯(lián)結構的電路基礎上，結合參考文獻中所述的襯底懸浮技術，實現(xiàn)了各項指標的良好折中。本文中的開關電路不僅具有較高的隔 離度特性，并且在線性度上也會有較大的改善。測試結果顯示，該射頻開關在0.1-1.2GHz頻段內實現(xiàn)了低于-37dB隔離度和0.7dB的插入損耗， 基于RFID 433MHz及GSM-R 900MHz典型應用頻段中，具有高于22dBm的1dB壓縮點。