資料介紹
今天我們來談一談 MOSFET 電流額定值,以及它們是如何變得不真實的。好,也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定 RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的,而是被計算出來的,并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。例如,大多數(shù)部件中都有 FET“封裝電流額定值”,這個值同與周圍環(huán)境無關,并且是硅芯片與塑料封裝之間內在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對 FET 造成損壞,而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復合材料的熱降解、以及電遷移應力所導致的問題。然后是我們考慮的“芯片限值”,通常通過將外殼溫度保持在 25?C 來指定。基本上,這個條件假定了一個理想的散熱片,只使用結至外殼熱阻來計算器件能夠處理的最大功率(在下面的方程式 1 和 2 中顯示)。換句話說,假定 RθCase-to-Ambient 為零,這在應用中并不是一個很實用的條件,這樣的話,最好將這個電流額定值視為表示器件 RDS(ON) 和熱阻抗的品質因數(shù)。
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