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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>MOSFET數(shù)據(jù)表連續(xù)電流額定值的詳細(xì)資料說明

      MOSFET數(shù)據(jù)表連續(xù)電流額定值的詳細(xì)資料說明

      2021-01-06 | pdf | 0.14 MB | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      　　今天我們來談一談 MOSFET 電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定 RDS（ON） 和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計(jì)算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。例如，大多數(shù)部件中都有 FET“封裝電流額定值”，這個(gè)值同與周圍環(huán)境無關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個(gè)函數(shù)。超過這個(gè)值不會(huì)立即對 FET 造成損壞，而在這個(gè)限值以上長時(shí)間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個(gè)限值的故障機(jī)制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降解、以及電遷移應(yīng)力所導(dǎo)致的問題。然后是我們考慮的“芯片限值”，通常通過將外殼溫度保持在 25?C 來指定?；旧?，這個(gè)條件假定了一個(gè)理想的散熱片，只使用結(jié)至外殼熱阻來計(jì)算器件能夠處理的最大功率（在下面的方程式 1 和 2 中顯示）。換句話說，假定 RθCase-to-Ambient 為零，這在應(yīng)用中并不是一個(gè)很實(shí)用的條件，這樣的話，最好將這個(gè)電流額定值視為表示器件 RDS（ON） 和熱阻抗的品質(zhì)因數(shù)。

      MOSFET 計(jì)算器 RDS
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