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今天我們來(lái)談一談 MOSFET 電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定 RDS（ON） 和柵極電荷等參數(shù)的方法測(cè)量出來(lái)的，而是被計(jì)算出來(lái)的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。例如，大多數(shù)部件中都有 FET“封裝電流額定值”，這個(gè)值同與周圍環(huán)境無(wú)關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個(gè)函數(shù)。超過(guò)這個(gè)值不會(huì)立即對(duì) FET 造成損壞，而在這個(gè)限值以上長(zhǎng)時(shí)間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個(gè)限值的故障機(jī)制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降解、以及電遷移應(yīng)力所導(dǎo)致的問(wèn)題。然后是我們考慮的“芯片限值”，通常通過(guò)將外殼溫度保持在 25?C 來(lái)指定。基本上，這個(gè)條件假定了一個(gè)理想的散熱片，只使用結(jié)至外殼熱阻來(lái)計(jì)算器件能夠處理的最大功率（在下面的方程式 1 和 2 中顯示）。換句話說(shuō)，假定 RθCase-to-Ambient 為零，這在應(yīng)用中并不是一個(gè)很實(shí)用的條件，這樣的話，最好將這個(gè)電流額定值視為表示器件 RDS（ON） 和熱阻抗的品質(zhì)因數(shù)。
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