在看到 MOSFET 數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS（ON）、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA 曲線），而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處（比如說：開關(guān)時間）。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解 FET 數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應(yīng)用來說，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。自從 20 世紀 80 年代中期在 MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) （UIS） 額定值就已經(jīng)被證明是一個非常有用的參數(shù)。雖然不建議在實際應(yīng)用中使用 FET 的重復雪崩，工程師們已經(jīng)學會了用這個度量標準在制定新器件開發(fā)方案時避免那些有可能導致問題的脆弱器件。在溫度范圍內(nèi)具有特別薄弱 UIS 能力或者發(fā)生嚴重降級的器件（25°C 至 125°C 之間大于 30%）應(yīng)當被禁止，因為這些器件會更容易受到故障的影響。設(shè)計人員也應(yīng)該對制造商在額定值上搗鬼，夸大他們的 FET 雪崩能力而感到厭煩。 UIS 測試由圖 1 中所示的測試電路執(zhí)行。在 FET 關(guān)閉時，其上施加了一個電源電壓，然后檢查器件上是否有泄露。在 FET 接通時，電感器電流穩(wěn)定增加。當達到所需的電流時，F(xiàn)ET 被關(guān)閉，F(xiàn)ET 上的 Ldi/dt 電壓擺幅在 MOSFET 擊穿電壓之上，從而激活了其內(nèi)在的寄生雙極晶體管，并在 FET 上出現(xiàn)有效的雪崩效應(yīng)。這項測試重復進行，電流逐漸增加，直到開始的泄漏測試失敗，表明器件已被損壞。