資料介紹
一般的內(nèi)存條會(huì)注明 CL 值,此數(shù)值越低表明內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取周期越短,性能也就越好,DDR SDRAM 的 CL 常見值一般為 2 和 2.5 兩種。 DDR DDR 是雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate)。DDR 與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)非常相象。普通同步 DRAM(現(xiàn)在被稱為 SDR)與標(biāo)準(zhǔn) DRAM 有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的 DRAM 接收的地址命令由二個(gè)地址字組成。為接省輸入管腳,采用了多路傳輸?shù)姆桨?。第一地址字由原始地址選通(RAS)鎖存在 DRAM 芯片。緊隨 RAS 命令之后,列地址選通(CAS)鎖存第二地址字。經(jīng)過 RAS 和 CAS,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDR DRAM)由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn) DRAM 和時(shí)鐘組成,RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng)。根據(jù)時(shí)鐘指示,可以預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)和剩余指令的位置。因而,數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性,所以可將存儲(chǔ)器劃分成 4 個(gè)區(qū)進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過脈沖串模式,可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù) RAS 選通。連續(xù) CAS 選通可對(duì)來自相同源的數(shù)據(jù)進(jìn)行再現(xiàn)。 DDR 存儲(chǔ)器與 SDR 存儲(chǔ)器工作原理基本相同,只不過 DDR 在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿均讀取數(shù)據(jù)。新一代 DDR 存儲(chǔ)器的工作頻率和數(shù)據(jù)速率分別為 200MHz 和 266MHz,與此對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘頻率為 100MHz 和 133MHz。
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