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說(shuō)明
- MSCSICMDD / REF1,參考設(shè)計(jì)提供了一個(gè)高度隔離的SiC MOSFET雙柵極驅(qū)動(dòng)器的示例??梢酝ㄟ^(guò)開(kāi)關(guān)對(duì)其進(jìn)行配置,以將其驅(qū)動(dòng)為具有一側(cè)接通和停滯時(shí)間保護(hù)的半橋配置。它也可以配置為向并發(fā)驅(qū)動(dòng)提供學(xué)習(xí)UIS或雙脈沖測(cè)試的要求。該設(shè)計(jì)可用于大多數(shù)SiC MOSFET分立和模塊器件。用戶可以調(diào)整空載時(shí)間和柵極驅(qū)動(dòng)電阻,以適應(yīng)應(yīng)用需求。死區(qū)時(shí)間保護(hù)和去飽和保護(hù)使設(shè)備評(píng)估更加容易,同時(shí)降低了損壞部件的風(fēng)險(xiǎn)
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