資料介紹
此參考設(shè)計展示了如何實現(xiàn)異步并列式閃存和 SRAM 存儲器并將其連接到性能微控制器 TM4C129。通過在主機(jī)總線 16 模式下使用 EPI 接口并提供用于連接 1Gbit-8Mbit 范圍的 16 位并列式閃存和 16Mbit 16 位并行式 SRAM 的多種芯片選擇來構(gòu)建此實施,開發(fā)人員便可將代碼和數(shù)據(jù)空間擴(kuò)展到 TM4C1294 微控制器最大內(nèi)部存儲器的范圍之外。
特性
通過 60MHz 外設(shè)接口 (EPI) 將可用存儲空間擴(kuò)展到 1Gbit 16 位閃存和 16Mbit 16 位異步 SRAM,適用于存儲密集型應(yīng)用
專為(前身為 Tiva MCU)EK-TM4C1294XL Connected LaunchPad 而設(shè)計
為通過 EPI 的并列式閃存現(xiàn)場編程提供串行啟動加載程序
支持對連接到 EPI 的閃存和 SRAM 進(jìn)行檢測
可將閃存大小設(shè)計從 64Mbit 擴(kuò)展為 1Gbit
源代碼包含 Code Composer Studio 項目示例
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