資料介紹
在我的上一篇博文LDO基礎(chǔ)知識(shí):噪聲 – 第1部分中,我探討了如何減少輸出噪聲和控制壓擺率,方法是為參考電壓(CNR/SS)并聯(lián)一個(gè)電容器。在本篇博文中,我將討論降低輸出噪聲的另一種方法:使用前饋電容(CFF)。
什么是前饋電容?
前饋電容是一個(gè)可選的頂容器,與電阻分壓器的上半部電阻并聯(lián),如圖 1 所示。
圖 1:使用前饋電容的NMOS低壓差穩(wěn)壓器(LDO)
與降噪電容(CNR/SS)相似,添加前饋電容具有多種效果。最主要的是降噪,還包括改進(jìn)穩(wěn)定性、負(fù)荷響應(yīng)和電源抑制比(PSRR)。(應(yīng)用報(bào)告“使用前饋電容的低壓差穩(wěn)壓器的優(yōu)缺點(diǎn),”詳盡討論了這些益處。)值得注意的是只有使用可調(diào)節(jié)LDO時(shí)才能使用前饋電容,因?yàn)榇藭r(shí)電阻網(wǎng)絡(luò)在外部。
降噪
LDO進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)會(huì)使用誤差放大器…
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