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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>堆疊 PowerStack 封裝電流獲得更高功率 POL

      堆疊 PowerStack 封裝電流獲得更高功率 POL

      2022-11-02 | pdf | 214.11KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      標(biāo)簽：dcdc，nexfet，mosfet，tps546c23，swift 電壓穩(wěn)壓器，特別是集成MOSFET的直流/直流轉(zhuǎn)換器，已從由輸入電壓、輸出電壓和電流限定的簡(jiǎn)易、低功耗電壓調(diào)節(jié)器，發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高功率、監(jiān)控操作環(huán)境且能相應(yīng)地適應(yīng)所處環(huán)境。 以前，需要高于10-15A電流的應(yīng)用通常依賴于具有外部MOSFET的控制器，以提供所需功率完成工作。轉(zhuǎn)換器盡管可讓設(shè)計(jì)的布局更簡(jiǎn)單，使用物料清單（BOM）中的組件更少，同時(shí)還能提供具有高可靠性的高密度解決方案，但可提供的功率相對(duì)有限。 諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來越高，需要30A、40A、60A或更高電流以用于它們的負(fù)載點(diǎn)（POL）設(shè)計(jì)。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時(shí)，這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。 MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)步使得TI能夠成功應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)…
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