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隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。
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在這篇包括兩個(gè)部分的博客系列中，我將討論這些新型寬帶隙材料是怎樣能讓新設(shè)計(jì)從中受益的。
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采用帶隙高于硅半導(dǎo)體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時(shí)保持相同的隔離電壓。
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較小的芯片產(chǎn)生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的硅 MOSFET，在給定的頻率下，這直接轉(zhuǎn)化為較快的轉(zhuǎn)換速度以及較少的轉(zhuǎn)換損耗、較少的 Coss 耗散和較少的驅(qū)動(dòng) Qg 損失。
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然而，在高于幾百 kHz 的電源應(yīng)用中設(shè)計(jì)人員并不驅(qū)動(dòng)硅 FET（因?yàn)殚_(kāi)關(guān)損耗變得過(guò)大），較低的寄生電容使得基于 GaN 的 FET 能夠在高出 10 倍之多的頻率下工作，同時(shí)保持相似的開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)損耗。
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這種在較高頻率條件下運(yùn)作的能力降低了紋波電壓和電流，這等同于傳導(dǎo)和磁芯損耗的減低，并有可能縮小電感和電容性組件的尺寸…
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