資料介紹
當(dāng)測定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時間時,即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細(xì)心留意您的測量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進(jìn)行準(zhǔn)確測量的最佳實踐方法。
在訂購LMG5200評估模塊(EVM)之前,請確認(rèn)您的試驗臺設(shè)備可準(zhǔn)確測量基于GaN(美國能源部認(rèn)為是“基礎(chǔ)性”技術(shù),可更好地利用我們的能源資源)的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體產(chǎn)品,如LMG5200。如果您的設(shè)備看起來像此處展示的設(shè)備,那么您可能需要升級您的觀察儀器和探針。
測量WBG半導(dǎo)體的電壓轉(zhuǎn)換需要具有足夠測量帶寬的設(shè)備。示波器帶寬的特點是擁有-3dB的頻率?——?在該頻率下正弦波(顯示在示波器上)的幅度已下降到輸入信號的1/√2或0.707…
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