使用 DS3904 的 2 線控制數(shù)字 DIP 開(kāi)關(guān)

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資料介紹

電阻寄存器設(shè)置電阻寄存器設(shè)置要將其中一個(gè) DS3904 置于高阻抗模式，所選電阻寄存器的 MSB 必須寫(xiě)入“1”。例如，將 80h 寫(xiě)入其中一個(gè)可變電阻寄存器可啟用該電阻的高阻抗模式。當(dāng)與上拉電阻結(jié)合使用時(shí)，該值可用于生成高電平。要獲得可變電阻器可用的最小電阻（通常為 400Ω），電阻器寄存器必須設(shè)置為 00h（位置 0）。這將產(chǎn)生一個(gè)低電平。要將其中一個(gè) DS3904 置于高阻抗模式，所選電阻寄存器的 MSB 必須寫(xiě)入“1”。例如，將 80h 寫(xiě)入其中一個(gè)可變電阻寄存器可啟用該電阻的高阻抗模式。當(dāng)與上拉電阻結(jié)合使用時(shí)，該值可用于生成高電平。要獲得可變電阻器可用的最小電阻（通常為 400Ω），電阻器寄存器必須設(shè)置為 00h（位置 0）。這將產(chǎn)生一個(gè)低電平。硬件要求硬件要求當(dāng)使用機(jī)械 DIP 開(kāi)關(guān)控制數(shù)字輸入時(shí)，上拉電阻用于創(chuàng)建高電平狀態(tài)（當(dāng)使用機(jī)械 DIP 開(kāi)關(guān)控制數(shù)字輸入時(shí)，上拉電阻用于創(chuàng)建高電平狀態(tài)（見(jiàn)圖 1見(jiàn)圖 1）。關(guān)閉 DIP 開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生低電平。）。關(guān)閉 DIP 開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生低電平。圖 1. 機(jī)械 DIP 開(kāi)關(guān)。圖 1. 機(jī)械 DIP 開(kāi)關(guān)。DS3904 可利用高阻抗模式取代機(jī)械 DIP 開(kāi)關(guān)。通過(guò)將每個(gè) H 端子引腳的上拉電阻器連接到電壓電位，當(dāng)相應(yīng)的可變電阻器處于高阻抗模式時(shí)，將創(chuàng)建高電平狀態(tài)。向電阻寄存器寫(xiě)入 00h 可創(chuàng)建低電平狀態(tài)。H 引腳上的電壓限制為 5.5V，電流限制為 3mA。為了滿足數(shù)字輸入的這些限制和電壓電平要求，使用了一個(gè) 10kΩ 的上拉電阻（參見(jiàn)DS3904 可利用高阻抗模式取代機(jī)械 DIP 開(kāi)關(guān)。通過(guò)將每個(gè) H 端子引腳的上拉電阻器連接到電壓電位，當(dāng)相應(yīng)的可變電阻器處于高阻抗模式時(shí)，將創(chuàng)建高電平狀態(tài)。向電阻寄存器寫(xiě)入 00h 可創(chuàng)建低電平狀態(tài)。H 引腳上的電壓限制為 5.5V，電流限制為 3mA。為了滿足數(shù)字輸入的這些限制和電壓電平要求，使用了一個(gè) 10kΩ 的上拉電阻（參見(jiàn)圖 2圖 2). 假設(shè)電壓為 5.0V，位置 0 的可變電阻值為 400Ω，上拉電阻值為 10kΩ，低電平狀態(tài)將產(chǎn)生大約 0.19V 的電壓。