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用于 SiC MOSFET 和 IGBT 的雙 DC/DC 轉換器功率驅動器模塊

2388610 2022-11-25 | pdf | 247.69KB | 次下載 | 免費

資料介紹

DC/DC 轉換器在高級電力電子中的新應用DC/DC 轉換器在高級電力電子中的新應用在許多人看來，電力電子與可再生能源和電動交通密切相關——換句話說：數(shù)百伏和中高千瓦范圍內的功率輸出。鮮為人知的是模塊化電源“樂高在許多人看來，電力電子與可再生能源和電動交通密切相關——換句話說：數(shù)百伏和中高千瓦范圍內的功率輸出。鮮為人知的是模塊化電源“樂高?盒子”中的較小元件，即直流/直流轉換器。?盒子”中的較小元件，即直流/直流轉換器。然而，它們同樣重要，因為它們確?，F(xiàn)代電力電子設備高效可靠地工作。然而，它們同樣重要，因為它們確?，F(xiàn)代電力電子設備高效可靠地工作。圖 1：借助電力，這款車可以在 2 秒內從 0 加速到 100 km/h——這要歸功于通過 RECOM 的 DC/DC 轉換器供電的先進 SiC 技術。（圖片來源：圖 1：借助電力，這款車可以在 2 秒內從 0 加速到 100 km/h——這要歸功于通過 RECOM 的 DC/DC 轉換器供電的先進 SiC 技術。（圖片來源：RECOM PowerRECOM Power））可再生能源領域的最新進展為電力電子技術帶來了創(chuàng)新推動力。現(xiàn)代 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）在提高逆變器效率方面發(fā)揮了重要作用。與 MOSFET 類似，它們可以用最小功率驅動。當處于導通狀態(tài)時，集電極-發(fā)射極路徑上的損耗與雙極晶體管一樣低。可再生能源領域的最新進展為電力電子技術帶來了創(chuàng)新推動力。現(xiàn)代 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）在提高逆變器效率方面發(fā)揮了重要作用。與 MOSFET 類似，它們可以用最小功率驅動。當處于導通狀態(tài)時，集電極-發(fā)射極路徑上的損耗與雙極晶體管一樣低。最近，通過使用新的半導體材料，它們的性能得到了進一步提高。由 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）制成的晶體管允許更高的電流和開關頻率。它們還加速了開關過程并將效率從大約 95% 提高到 98% 甚至更高。雖然這看起來可能不是一項巨大的成就，但還必須考慮到這些新組件有助于將能量損失減少約 66%，從而保持低溫！最近，通過使用新的半導體材料，它們的性能得到了進一步提高。由 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）制成的晶體管允許更高的電流和開關頻率。它們還加速了開關過程并將效率從大約 95% 提高到 98% 甚至更高。雖然這看起來可能不是一項巨大的成就，但還必須考慮到這些新組件有助于將能量損失減少約 66%，從而保持低溫！在電動汽車的背景下，不要忘記任何效率的提高都會降低系統(tǒng)能量損失并增加電池需要充電之前的行駛距離。更低的散熱意味著更少的冷卻需求，這反過來意味著更輕的重量。隨著重量的減輕，加速度得到改善，車輛的電池續(xù)航里程增加。此外，新的 SiC 和 GaN 材料通常能夠承受更高的溫度，因此可以更有效地冷卻。可以合理地假設電動汽車的未來發(fā)展將導致電力電子領域的進一步改進和創(chuàng)新。在電動汽車的背景下，不要忘記任何效率的提高都會降低系統(tǒng)能量損失并增加電池需要充電之前的行駛距離。更低的散熱意味著更少的冷卻需求，這反過來意味著更輕的重量。