資料介紹
兩個(gè)IGBT模塊控制一相(具體原理如下) 1 ) 柵極驅(qū)動(dòng)電壓IGBT開(kāi)通時(shí), 正向柵極電壓的值應(yīng)該足夠令I(lǐng)GBT產(chǎn)生完全飽和, 并使通態(tài)損耗減至最小, 同時(shí)也應(yīng)限制 短路電流和它所帶來(lái)的功率應(yīng)力。在任何情況下, 開(kāi)通時(shí)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,應(yīng)該在 12 ~ 20 V之間。當(dāng)柵極電壓為零時(shí), IGBT處于斷態(tài)。但是, 為了保證IGBT在集電極發(fā)射極電壓上出現(xiàn) dv/dt 噪聲時(shí)仍保持關(guān)斷,必須在柵極上施加一個(gè)反向關(guān)斷 偏壓, 采用反向偏壓還減少了關(guān)斷損耗。反向偏壓應(yīng)該在- 5 ~ - 15 V 之間。


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