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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>DN80用于MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的雙極晶體管

      DN80用于MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的雙極晶體管

      2023-07-24 | pdf | 0.07 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　在過(guò)去的幾年里，MOSFET已經(jīng)成為功率開(kāi)關(guān)的首選器件應(yīng)用程序。雖然導(dǎo)通電阻顯著降低，但它們通常需要驅(qū)動(dòng)器級(jí)以獲得最佳性能，特別是當(dāng)由低電壓、低電流源驅(qū)動(dòng)時(shí)。這就是雙極晶體管固有優(yōu)勢(shì)的優(yōu)勢(shì)所在，如下所述。功率MOSFET通常被認(rèn)為是電壓驅(qū)動(dòng)的器件，因此可能會(huì)被錯(cuò)誤地認(rèn)為期望從任何信號(hào)源驅(qū)動(dòng)而與電流能力無(wú)關(guān)。這可能是一個(gè)在直流或極低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)時(shí)可接受的假設(shè)，其中快速邊緣速度并不重要，但越來(lái)越多的功率MOSFET被用于開(kāi)關(guān)數(shù)百kHz至10MHz的電路，以及在這些情況下的柵極電荷要求是一個(gè)主要考慮因素。完全增強(qiáng)功率MOSFET所需的電荷來(lái)源于其柵極-源極和柵極-漏極電容，并通過(guò)外部電阻器傳輸。大門電壓遵循特征RC時(shí)間常數(shù)，該時(shí)間常數(shù)（在EMI約束范圍內(nèi)）必須較短足以穿過(guò)線性區(qū)域而不會(huì)在功率中引起過(guò)大的開(kāi)關(guān)損耗MOSFET。

      　　例如，典型的100V、35m DPAK MOSFET需要大約50nC。如果需要為了在20ns內(nèi)切換，需要2.5安培的柵極電流。有許多潛在的解決方案可以為功率MOSFET提供柵極驅(qū)動(dòng)，包括專用IC驅(qū)動(dòng)器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC、分立MOSFET和雙極晶體管。

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