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利用太陽能電池發(fā)電是解決能源問題和環(huán)境問題的重要途徑之一。目前，80%以上的太陽電池是由晶體硅材料制備而成的，制備高效率低成本的晶體硅太陽能電池對于大規(guī)模利用太陽能發(fā)電有著十分重要的意義。減反射膜的制備和氫鈍化是制備高效率的晶體硅太陽電池的非常重要工序之一。減反射膜的對光的吸收又與那些因素有關(guān)呢？本實(shí)驗(yàn)將就鍍膜功率、鍍膜溫度、鍍膜時(shí)間等對氮化硅減反射膜的影響進(jìn)行測試。實(shí)驗(yàn)表明氮化硅薄膜的沉積速率隨硅烷/氨氣流量比增大而增大，隨溫度升高而略有降低,隨沉積功率增大而明顯增加，氮化硅薄膜的折射率隨硅烷/氨氣流量比增大而增大，隨溫度升高而略有增加,隨沉積功率增大而略為降低。
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