資料介紹
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中,如電動/混合動力汽車,隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進,以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進,現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧,可集成到驅(qū)動器芯片上。這種電隔離可以通過集成高壓微變壓器或電容器來實現(xiàn)。1, 2, 3 一次意外的系統(tǒng)故障均可導(dǎo)致功率開關(guān)甚至整個功率逆變器損壞和爆炸。因此,需要針對高功率密度逆變器研究如何安全實施柵級驅(qū)動器的隔離功能。必須測試和驗證最壞情況下(功率開關(guān)被毀壞)隔離柵的可靠性。
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