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      CMOS開關(guān)和多路復(fù)用器中的Ron調(diào)制;它是什么及如何預(yù)測它對(duì)信號(hào)失真的影響

      2025-01-15 | pdf | 168.01KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      單個(gè)CMOS開關(guān)或CMOS多路復(fù)用器的單通道基本上由N溝道和aP溝道MOSFET晶體管并聯(lián)組成，見圖1a。兩個(gè)晶體管各自的漏極和源極連接在一起成為開關(guān)端子，而兩個(gè)晶體管的柵極通常由電源電壓Voo和Vss驅(qū)動(dòng)，以控制開關(guān)的開關(guān)動(dòng)作。實(shí)質(zhì)上，對(duì)于正的柵極-源極電壓，N溝道為ON，對(duì)于負(fù)的柵極-源極電壓，N溝道為OFF(反之亦然)。n溝道的電阻隨著正電壓的增加而增加，P溝道的電阻隨著負(fù)電壓的增加而增加。所得平行組合(粗線)表現(xiàn)出眾所周知的“冠狀”或雙峰特征。這種通道電阻隨輸入信號(hào)的變化稱為RoN調(diào)制。
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