我們上次講了，怎么降低開關(guān)損耗：

1、增大 Igs 電流：減小柵極電阻；柵極驅(qū)動(dòng)的電流能力要大，充放 電 2 個(gè)方向。

2、提高 Vgs 驅(qū)動(dòng)電壓：±20V，±15V，±12V。

上面講的方法，都可以把米勒平臺(tái)的時(shí)間變短，最大的好處就是 降低開關(guān)損耗。那么這種開關(guān)損耗的降低，會(huì)不會(huì)帶來其它問題呢？

在米勒平臺(tái)時(shí)間內(nèi)，GS 電流回路受 GS 電容、Cgd 電容、Id、Vd、 驅(qū)動(dòng)電流 Igs 以及 Layout 回路大小、板級(jí)走線、MOSFET 內(nèi)部電感的 影響。那么這些影響會(huì)讓 Vgs 波形容易發(fā)生震蕩。

其實(shí)，GS 電流不僅僅受到 Cgs 電容影響，它還有另一條回路，也 就是受到米勒電容 Cgd 的大小影響。

之前我們也說了，米勒電容 Cgd 的大小其實(shí)也受漏極電壓Vd 的影響，Vd 電壓越高，Cgd 越大；Vd 電壓越低，Cgd 越?。灰簿?是說 GS 電流也間接受到 Vd 電壓的影響，Vd 電壓高，受米勒電容影 響更大

然而，對(duì)于高壓管子來說，Vd 越大，它的 Id 電流一般就小。也 就是說，高壓管子，米勒電容大，DS 電流小，那么，高壓的管子開 通就會(huì)容易震蕩

同樣的，對(duì)于低壓管子來說，Vd 電壓低，米勒電容小，那么低壓 的管子，一般 Id 電流大，那么，低壓的管子在關(guān)斷的時(shí)候就會(huì)容易 出現(xiàn)震蕩。下面來進(jìn)一步說明一下。

如上圖所示。對(duì)于高壓的管子來說，如果帶 PFC 模塊的話，一般 Vbus 電壓都會(huì)達(dá)到 390V、400V 的樣子。這么高的電壓，MOS 管在開 通時(shí)，Vd 就要從 400V 迅速降低到 0V，所以漏極的 dv/dt 是很大的。 如果米勒平臺(tái)時(shí)間越短，那么 dv/dt 就會(huì)越大。同樣的，對(duì)于低壓的 管子來說，如果米勒平臺(tái)越短，那么 di/dt 就會(huì)越大。

總結(jié)一下，如果將米勒平臺(tái)變短的話：

對(duì)于高壓小電流管子的開通，dv/dt 大；

對(duì)于低壓大電流管子的關(guān)斷，di/dt 大。

DS 的迅速變化（dv/dt，di/dt），會(huì)通過米勒電容 Cgd 反 饋到柵極，也會(huì)通過 Cgs 電容傳遞到柵極，影響到柵極的驅(qū)動(dòng)波形， 就會(huì)在柵極的平臺(tái)區(qū)域出現(xiàn)干擾。也就是說，高壓管子在開通過程中， DS 內(nèi)阻由無窮大變?yōu)楹苄?；低壓管子在關(guān)斷過程中，DS 內(nèi)阻由很小 變?yōu)闊o窮大。

結(jié)論：

低壓大電流的系統(tǒng)，管子的關(guān)斷比較難做；

高壓小電流的系統(tǒng)，管子的開通比較難做。

高壓管子開通時(shí)，為什么震蕩呢？除了 dv/dt 引起的以外，還會(huì) 由于 LC 引起的震蕩，L 是走線電感以及 MOSFET 的內(nèi)部寄生電感；C 就是 Cgs 和 Cgd。這個(gè)震蕩是沒有辦法根除的，只有減小這個(gè)震蕩。 這與柵極驅(qū)動(dòng)電路走線和地的處理都有關(guān)系的；還與整個(gè)驅(qū)動(dòng)回路的 大小有關(guān)系，回路要盡量短；還與 Id 電流有關(guān)系。

如果在米勒平臺(tái)區(qū)出現(xiàn)震蕩，那么管子就會(huì)發(fā)熱嚴(yán)重，容易損壞， 不能抗沖擊。所以，在 GS 電壓確定的時(shí)候，柵極驅(qū)動(dòng)電阻和米勒平 臺(tái)時(shí)間的關(guān)系，很重要了

柵極電阻的取值：

高壓管子： 柵極電阻 取百Ω級(jí)，100R~330R

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