我們現(xiàn)在知道了，只要讓 MOSFET 有一個(gè)導(dǎo)通的閾值電壓，那么 這個(gè) MOSFET 就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個(gè)電路中，假設(shè) GS 電 容上有一個(gè)閾值電壓，足可以讓 MOSFET 導(dǎo)通，而且電容沒有放電回 路，不消耗電流。那么 DS 導(dǎo)通，理論上等效電阻無窮小，我們把這 個(gè)等效電阻稱之為 Rdson。當(dāng) MOSFET 電流達(dá)到最大時(shí)，則 Rdson 必 然是最小的。對(duì)于 MOSFET 來說，Rdson 越小，價(jià)格也就越貴。我們 說 MOSFET 從不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通，等效內(nèi)阻 Rdson 從無窮大變成無窮小， 當(dāng)然這個(gè)無窮小也有一個(gè)值的。MOSFET 導(dǎo)通了，但是它沒有回路。

以上這些就是 MOSFET 和三極管的區(qū)別。當(dāng)我們?cè)跍y(cè)量 MOSFET 時(shí)，要想測(cè)量 Rdson，先用鑷子夾在 GS 兩端短路掉，把 GS 電壓先放 掉，放掉之后再測(cè)量 DS 兩端的阻抗，否則測(cè)出來的值就不準(zhǔn)。

接下來我們?cè)賮砜?MOS 管的損耗問題。

我們說，盡管導(dǎo)通后 Rdson 很小，但是一旦我走大電流，比如 100A， 最終還是有損耗的。我們把這個(gè)損耗叫做 MOSFET 的導(dǎo)通損耗，這個(gè) 導(dǎo)通損耗，是由 MOSFET 的 Rdson 決定的，當(dāng) MOSFET 選型確定了之后，它的 Rdson 不再變了。

另外，DS 上流過的 Id 電流是由負(fù)載決定的。既然是由負(fù)載決定的， 我們就不能改變電流，所以，我們說 MOSFET 的導(dǎo)通損耗是由 Rdson 決定的。

我們看到，MOSFET 的 DS 之間有一個(gè)二極管，我們把這個(gè)二極管 稱為 MOSFET 的體二極管。假設(shè)正向：由 D 指向 S，那么，體二極管 的方向是跟正向相反的，而且，這個(gè)體二極管正向不導(dǎo)通，反向會(huì)導(dǎo) 通。所以，這個(gè)體二極管和普通二極管一樣，也有鉗位電壓，實(shí)際鉗 位電壓跟體二極管上流過的電流是有關(guān)系的，體二極管上流過的電流 越大，則鉗位電壓越高，這是因?yàn)轶w二極管本身有內(nèi)阻。

體二極管的功耗問題。假設(shè)體二極管的壓降是 0.7V，那么它的功 耗 P=0.7V*I，所以，它的功耗也是由負(fù)載決定的。所以，功耗也蠻大 的。我們把體二極管的功耗稱之為續(xù)流損耗。

體二極管的參數(shù)我們?cè)趺慈ピO(shè)置呢？為了安全起見，體二 極管的電流，一般跟 Id 電流是接近或者相等的。另外，我們還要注 意的是，這個(gè)體二極管并不是人為的刻意做上去的，而是客觀存在的。

對(duì)于 MOSFET 來說，我們來討論 GS 電容問題。

我們要知道，MOSFET 其實(shí)并不是一個(gè) MOSFET，它實(shí)際上是由若 干個(gè)小的 MOSFET 合成的。既然是合成的，我們就討論下低壓 MOSFET和高壓 MOSFET 的差異。

假設(shè)功率相等：3 KW

低壓：24V 電流：125A

高壓：310V 電流：9.7A

大家看到?jīng)]有，低壓電流大，高壓電流小。從內(nèi)阻法來分析：如果電 流大，是不是等效為內(nèi)阻小?。蝗绻娏餍?，是不是內(nèi)阻大啊。所以， 低壓器件要求內(nèi)阻小，高壓內(nèi)阻大了。

從電壓角度比較分析：

從耐壓來看，則多個(gè)串聯(lián)；從電流來看，則多個(gè)并聯(lián)。所以：

 低壓：24V 電流：125A 內(nèi)阻小 多個(gè)管子并聯(lián) 耐壓很難做高 

高壓：310V 電流：9.7A 耐壓高 多個(gè)管子串聯(lián) 內(nèi)阻必然大 

所以根據(jù)上面分析，得出一個(gè)結(jié)論：

高壓 MOSFET，Rdson 大；低壓 MOSFET，Rdson 小。

MOSFET 的 GS 電容：

低壓：24V 電流：125A

內(nèi)阻小 多個(gè)管子并聯(lián) 耐壓很難做高 gs 電容大

高壓：310V 電流：9.7A

耐壓高 多個(gè)管子串聯(lián) 內(nèi)阻必然大 gs 電容小

由于一個(gè) MOSFET 里面集成了大量的小的 mosfet，實(shí)際上在制造工藝的工程中，是用金子來做的。如果里面有一些管子壞了，是測(cè)量 不出來的，這就是大品牌和小品牌的差異。

我們來看一下啊，MOSFET 的 GS 電容對(duì)管子開通特性的影 響。我們說，高壓的管子，它的 GS 電容小。要想把管子開通，無非 是對(duì)這個(gè)電容充電，讓它什么時(shí)候充到閾值電壓，對(duì)不對(duì)？那么我們 來看，當(dāng)電流相等的情況下，對(duì) GS 電容進(jìn)行充電。

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