我們現(xiàn)在知道了，只要讓 MOSFET 有一個導通的閾值電壓，那么 這個 MOSFET 就導通了。那么在我們當前的這個電路中，假設 GS 電 容上有一個閾值電壓，足可以讓 MOSFET 導通，而且電容沒有放電回 路，不消耗電流。那么 DS 導通，理論上等效電阻無窮小，我們把這 個等效電阻稱之為 Rdson。當 MOSFET 電流達到最大時，則 Rdson 必 然是最小的。對于 MOSFET 來說，Rdson 越小，價格也就越貴。我們 說 MOSFET 從不導通變?yōu)閷ǎ刃?nèi)阻 Rdson 從無窮大變成無窮小， 當然這個無窮小也有一個值的。MOSFET 導通了，但是它沒有回路。

以上這些就是 MOSFET 和三極管的區(qū)別。當我們在測量 MOSFET 時，要想測量 Rdson，先用鑷子夾在 GS 兩端短路掉，把 GS 電壓先放 掉，放掉之后再測量 DS 兩端的阻抗，否則測出來的值就不準。

接下來我們再來看 MOS 管的損耗問題。

我們說，盡管導通后 Rdson 很小，但是一旦我走大電流，比如 100A， 最終還是有損耗的。我們把這個損耗叫做 MOSFET 的導通損耗，這個 導通損耗，是由 MOSFET 的 Rdson 決定的，當 MOSFET 選型確定了之后，它的 Rdson 不再變了。

另外，DS 上流過的 Id 電流是由負載決定的。既然是由負載決定的， 我們就不能改變電流，所以，我們說 MOSFET 的導通損耗是由 Rdson 決定的。

我們看到，MOSFET 的 DS 之間有一個二極管，我們把這個二極管 稱為 MOSFET 的體二極管。假設正向：由 D 指向 S，那么，體二極管 的方向是跟正向相反的，而且，這個體二極管正向不導通，反向會導 通。所以，這個體二極管和普通二極管一樣，也有鉗位電壓，實際鉗 位電壓跟體二極管上流過的電流是有關系的，體二極管上流過的電流 越大，則鉗位電壓越高，這是因為體二極管本身有內(nèi)阻。

體二極管的功耗問題。假設體二極管的壓降是 0.7V，那么它的功 耗 P=0.7V*I，所以，它的功耗也是由負載決定的。所以，功耗也蠻大 的。我們把體二極管的功耗稱之為續(xù)流損耗。

體二極管的參數(shù)我們怎么去設置呢？為了安全起見，體二 極管的電流，一般跟 Id 電流是接近或者相等的。另外，我們還要注 意的是，這個體二極管并不是人為的刻意做上去的，而是客觀存在的。

對于 MOSFET 來說，我們來討論 GS 電容問題。

我們要知道，MOSFET 其實并不是一個 MOSFET，它實際上是由若 干個小的 MOSFET 合成的。既然是合成的，我們就討論下低壓 MOSFET和高壓 MOSFET 的差異。

假設功率相等：3 KW

低壓：24V 電流：125A

高壓：310V 電流：9.7A

大家看到?jīng)]有，低壓電流大，高壓電流小。從內(nèi)阻法來分析：如果電 流大，是不是等效為內(nèi)阻小??；如果電流小，是不是內(nèi)阻大啊。所以， 低壓器件要求內(nèi)阻小，高壓內(nèi)阻大了。

從電壓角度比較分析：

從耐壓來看，則多個串聯(lián)；從電流來看，則多個并聯(lián)。所以：

 低壓：24V 電流：125A 內(nèi)阻小 多個管子并聯(lián) 耐壓很難做高 

高壓：310V 電流：9.7A 耐壓高 多個管子串聯(lián) 內(nèi)阻必然大 

所以根據(jù)上面分析，得出一個結(jié)論：

高壓 MOSFET，Rdson 大；低壓 MOSFET，Rdson 小。

MOSFET 的 GS 電容：

低壓：24V 電流：125A

內(nèi)阻小 多個管子并聯(lián) 耐壓很難做高 gs 電容大

高壓：310V 電流：9.7A

耐壓高 多個管子串聯(lián) 內(nèi)阻必然大 gs 電容小

由于一個 MOSFET 里面集成了大量的小的 mosfet，實際上在制造工藝的工程中，是用金子來做的。如果里面有一些管子壞了，是測量 不出來的，這就是大品牌和小品牌的差異。

我們來看一下啊，MOSFET 的 GS 電容對管子開通特性的影 響。我們說，高壓的管子，它的 GS 電容小。要想把管子開通，無非 是對這個電容充電，讓它什么時候充到閾值電壓，對不對？那么我們 來看，當電流相等的情況下，對 GS 電容進行充電。

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