資料介紹
我們現(xiàn)在知道了,只要讓 MOSFET 有一個(gè)導(dǎo)通的閾值電壓,那么 這個(gè) MOSFET 就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個(gè)電路中,假設(shè) GS 電 容上有一個(gè)閾值電壓,足可以讓 MOSFET 導(dǎo)通,而且電容沒有放電回 路,不消耗電流。那么 DS 導(dǎo)通,理論上等效電阻無窮小,我們把這 個(gè)等效電阻稱之為 Rdson。當(dāng) MOSFET 電流達(dá)到最大時(shí),則 Rdson 必 然是最小的。對(duì)于 MOSFET 來說,Rdson 越小,價(jià)格也就越貴。我們 說 MOSFET 從不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通,等效內(nèi)阻 Rdson 從無窮大變成無窮小, 當(dāng)然這個(gè)無窮小也有一個(gè)值的。MOSFET 導(dǎo)通了,但是它沒有回路。
以上這些就是 MOSFET 和三極管的區(qū)別。當(dāng)我們?cè)跍y(cè)量 MOSFET 時(shí),要想測(cè)量 Rdson,先用鑷子夾在 GS 兩端短路掉,把 GS 電壓先放 掉,放掉之后再測(cè)量 DS 兩端的阻抗,否則測(cè)出來的值就不準(zhǔn)。

接下來我們?cè)賮砜?MOS 管的損耗問題。
我們說,盡管導(dǎo)通后 Rdson 很小,但是一旦我走大電流,比如 100A, 最終還是有損耗的。我們把這個(gè)損耗叫做 MOSFET 的導(dǎo)通損耗,這個(gè) 導(dǎo)通損耗,是由 MOSFET 的 Rdson 決定的,當(dāng) MOSFET 選型確定了之后,它的 Rdson 不再變了。
另外,DS 上流過的 Id 電流是由負(fù)載決定的。既然是由負(fù)載決定的, 我們就不能改變電流,所以,我們說 MOSFET 的導(dǎo)通損耗是由 Rdson 決定的。
我們看到,MOSFET 的 DS 之間有一個(gè)二極管,我們把這個(gè)二極管 稱為 MOSFET 的體二極管。假設(shè)正向:由 D 指向 S,那么,體二極管 的方向是跟正向相反的,而且,這個(gè)體二極管正向不導(dǎo)通,反向會(huì)導(dǎo) 通。所以,這個(gè)體二極管和普通二極管一樣,也有鉗位電壓,實(shí)際鉗 位電壓跟體二極管上流過的電流是有關(guān)系的,體二極管上流過的電流 越大,則鉗位電壓越高,這是因?yàn)轶w二極管本身有內(nèi)阻。
體二極管的功耗問題。假設(shè)體二極管的壓降是 0.7V,那么它的功 耗 P=0.7V*I,所以,它的功耗也是由負(fù)載決定的。所以,功耗也蠻大 的。我們把體二極管的功耗稱之為續(xù)流損耗。
體二極管的參數(shù)我們?cè)趺慈ピO(shè)置呢?為了安全起見,體二 極管的電流,一般跟 Id 電流是接近或者相等的。另外,我們還要注 意的是,這個(gè)體二極管并不是人為的刻意做上去的,而是客觀存在的。
對(duì)于 MOSFET 來說,我們來討論 GS 電容問題。
我們要知道,MOSFET 其實(shí)并不是一個(gè) MOSFET,它實(shí)際上是由若 干個(gè)小的 MOSFET 合成的。既然是合成的,我們就討論下低壓 MOSFET和高壓 MOSFET 的差異。
假設(shè)功率相等:3 KW
低壓:24V 電流:125A
高壓:310V 電流:9.7A
大家看到?jīng)]有,低壓電流大,高壓電流小。從內(nèi)阻法來分析:如果電 流大,是不是等效為內(nèi)阻小?。蝗绻娏餍?,是不是內(nèi)阻大啊。所以, 低壓器件要求內(nèi)阻小,高壓內(nèi)阻大了。
從電壓角度比較分析:
從耐壓來看,則多個(gè)串聯(lián);從電流來看,則多個(gè)并聯(lián)。所以:
低壓:24V 電流:125A 內(nèi)阻小 多個(gè)管子并聯(lián) 耐壓很難做高
高壓:310V 電流:9.7A 耐壓高 多個(gè)管子串聯(lián) 內(nèi)阻必然大
所以根據(jù)上面分析,得出一個(gè)結(jié)論:
高壓 MOSFET,Rdson 大;低壓 MOSFET,Rdson 小。
MOSFET 的 GS 電容:
低壓:24V 電流:125A
內(nèi)阻小 多個(gè)管子并聯(lián) 耐壓很難做高 gs 電容大
高壓:310V 電流:9.7A
耐壓高 多個(gè)管子串聯(lián) 內(nèi)阻必然大 gs 電容小
由于一個(gè) MOSFET 里面集成了大量的小的 mosfet,實(shí)際上在制造工藝的工程中,是用金子來做的。如果里面有一些管子壞了,是測(cè)量 不出來的,這就是大品牌和小品牌的差異。
我們來看一下啊,MOSFET 的 GS 電容對(duì)管子開通特性的影 響。我們說,高壓的管子,它的 GS 電容小。要想把管子開通,無非 是對(duì)這個(gè)電容充電,讓它什么時(shí)候充到閾值電壓,對(duì)不對(duì)?那么我們 來看,當(dāng)電流相等的情況下,對(duì) GS 電容進(jìn)行充電。

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