?

　　內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理》是1981年版《半導(dǎo)體器件物理》的續(xù)編。書中詳細(xì)介紹了近20年來經(jīng)典半導(dǎo)體器件的新增功能及新型半導(dǎo)體器件的物理機(jī)制。全書共八章，內(nèi)容涉及先進(jìn)的雙極晶體管和異質(zhì)結(jié)器件，金屬-半導(dǎo)體接觸及各種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，功率器件、量子器件、熱電子器件、微波器件、高速光子器件，以及太陽(yáng)能電池等。各章末除附有習(xí)題外還給出了盡可能多的參考文獻(xiàn)。書后附錄提供了符號(hào)表、國(guó)際單位制基本單位、物理常數(shù)、晶格常數(shù)最新值，以及元素半導(dǎo)體，二元、三元化合物半導(dǎo)體和絕緣體的特征。

　　編輯推薦

　　《現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理》可作為應(yīng)用物理、電子工程、電機(jī)、材料科學(xué)領(lǐng)域大學(xué)本科生及研究生教材，也可供在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域工作的科學(xué)家與工程師參考。

　　目錄

　　1.雙極晶體管

　　2.化合物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

　　3.MOSFET及其相關(guān)器件

　　4.功率器件

　　5.量子效應(yīng)和熱電子器件

　　6.有源微波二極管

　　7.高速光子器件

　　8.太陽(yáng)電池

　　附錄A 符號(hào)表

　　附錄B 國(guó)際單位制(SI單位)

　　附錄C 單位詞頭

　　附錄D 希臘字母

　　附錄E 物理常數(shù)

　　附錄F 300D的晶格常數(shù)

　　附錄G 重要的元素和二元半導(dǎo)體性質(zhì)

　　附錄H Si和GaAs在300K的性質(zhì)

　　附錄I 3-V族三元化合物半導(dǎo)體的性質(zhì)

　　附錄J SiO和SiN在300K的性質(zhì)

　　索引

?