資料介紹
為了提高915 nm半導(dǎo)體激光器腔面抗光學(xué)災(zāi)變的能力,采用基于Si0:薄膜無雜質(zhì)誘導(dǎo)量子阱混合法制備符合915 nm半導(dǎo)體激光器AIGaInAs單量子阱的非吸收窗口.研究了無雜質(zhì)空位誘導(dǎo)量子阱混合理論及不同退火溫度、不同退火時間、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同蓋片等試驗參數(shù)對制備非吸窗口的影響,并且討論了Si0,薄膜介質(zhì)膜的多孔性對無雜質(zhì)誘導(dǎo)量子阱混合的影響.實驗制備出藍移波長為53 nm的非吸收窗口,最佳制備非吸收窗口條件為退火溫度為875℃,退火時間為90s,SiO2薄膜折射率為1.447,厚度為200 nm,使用GaAs蓋片.
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